场效应管与基本放大电路_李林.pptVIP

第五章 场效应管及基本放大电路;第一节 MOS场效应极管; (一) 增强型MOSFET结构;由于BS短接,G与衬底B间产生电场，电子被正极板吸引,空穴被排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。 耗尽层中的少子——电子，将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，所以仍不能形成漏极电流ID。;(3).当UGS=UT:( UT 称为开启电压);(1).转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 (2).gm 的量纲为mA/V，所以gm也称为跨导。跨导的定义式如下：;(1).UGSUT时： 沟道未形成， ID =0管子处于截止状态;且UGS固定为某一很小值时： UDS与漏极电流ID之间呈线性关系。;图03.16 漏极输出特性曲线; 当UDS = UGS -UT时: (由于的存在，导电沟道不均匀) 此时漏极端的导电沟道将开始消失（称预夹断）;漏源电压UDS对沟 道的影响;UGS＜0时； 随着UGS的减小漏极电流逐渐减小， 直至ID=0。对应ID=0的UGS称为夹断 电压，用符号UGS(off)表示，有时也用UP表示。;图03.17 N沟道耗尽型MOSFET的结构和转移特性曲线;N沟道耗尽型MOSFET的输出特性曲线:;P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同。 区别是导电的载流子不同，供电电压极性不同。 同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。;场效应管的特性曲线类型比较多，根据导电沟道不同，以及增强型还是耗尽型,可有四种转移特性曲线和输出特性曲线，其电压和电流方向也有所不同。 如果按统一规定正方向，特性曲线就要画在不同的象限。 为便于绘制，将P沟道管子的正方向反过来设定。 有关曲线绘于下图之中。; 图03.18 各类绝缘栅场效应三极管的特性曲线;绝缘栅场效应管;结型场效应管;第二节 结型场效应三极管; 二.结型场效应三极管的工作原理; ①栅源电压对沟道的控制作用;图02.21 漏源电压对沟道的控制作用; ②漏源电压对沟道的控制作用; (三)结型场效应三极管的特性曲线;场效应管;2. 特点;不同类型 FET 转移特性比较;第三节 场效应管的主要参数和微变等效电路; 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电的绝对值,场效应管不能导通(即IG =0)。;①低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，gm可以在转 移 ?特性曲线上求取，单??是mA/V或mS(毫西门子)。;(2).解析法求解：;④导通电阻Ron：;表3-2 常用场效应三极管的参数; 三 场效应管的微变等效电路;2.高频等效电路：;双极型和场效应型三极管的比较;双极型和场效应型三极管的比较(续);第四节 场效应管的基本放大电路;一 场效应管的偏置电路;2.改进型自给偏置电路：;（二）外加偏置电路：;二 三种基本放大电路;放大器的输入电阻为:;结型共漏放大器电路;求输入电阻:;（三） 共栅组态基本放大器;ri’= Rs // ri;表3-3 FET 三种组态性能比较;一 共源组态基本放大电路;(1)直流分析;UG=UDDR2/(R1+R2) UGS= UG－US= UG－IDR ID= IDSS[1－(UGS /Up)]2 UDS= UDD－ID(Rd+R);二 共漏组态基本放大电路;三 共栅组态基本放大电路;§回顾： 场效应晶体管知识; MOS绝缘栅场效应管（N沟道）;P;?N沟道MOS管的特性曲线;NMOS场效应管转移特性;UGS=3V;增强型NMOS场效应管转移特性; 耗尽型NMOS场效应管 输出特性曲线;耗尽型NMOS场效应管转移特性;跨导gm;场效应管的微变等效电路;5.2 场效应管共源极放大电路;设：UGS=0; 动态分析; 动态分析：;电压放大倍数估算;ro=RD =10K ?;补充： 源极输出器（共漏极放大电路）;静态工作点:;uo;微变等效电路：;求ri;求ro;ri=RG+R1//R2;场效应管放大电路小结;几个名词