模拟电路第三章-放大电路基本原理和分析方法.pptVIP

第 3 章 半 导 体 二 极 管 及 其 基 本 应 用 电 路 ;3.1 半导体的基础知识;3.1 半导体基础知识 物质的导电特性取决于原子结构，最外层电子受原子核的束缚力的大小来判断该物质的导电性。 物质按导电性能的分类： 导体：低价元素，如铜、铁、铝等金属，最外层电子受原子核的束缚力很小，极易形成自由电子。在外电场作用下, 这些电子产生定向运动(称为漂移运动)形成电流, 具有较好的导电特性。 绝缘体：高价元素(如惰性气体)和高分子物质(如橡胶, 塑料)最外层电子受原子核的束缚力很强，不易形成自由电子，导电性极差。 半导体：导电特性介于导体和绝缘体之间。半导体的电阻率为10-3～109 ??cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。;3.1.1 本征半导体与杂质半导体;纯净晶体结构的半导体称为本征半导体。 材料：硅和锗（均为四价元素，在原子结构中最外层轨道上有四个价电子。 ）; 图3.1 硅原子空间排列及共价键结构平面示意图; （2）电子空穴对; 可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合，如图3.2所示。; (3) 空穴的移动;2、杂质半导体; (1）N型半导体;(2) P型半导体; 结论： （1）多子的浓度主要取决于掺入的杂质，受温度的影响很小； （2）少子的浓度虽然很低，但是它受温度的影响很大，少子浓度对温度的敏感性是致使半导体器件温度特性差的主要原因。;3.1.2 PN结;1、载流子的漂移运动和扩散运动;2、PN结的形成; 最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。对于 P型半导体和N型 半导体结合面， 离子薄层形成的 空间电荷区称为 PN结。在空间电 荷区，由于缺少 多子，所以也称 耗尽层。 ;3、PN结的单向导电性; (1) PN结加正向电压时的导电情况; (2) PN结加反向电压时的导电情况 ; PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;3.2 半导体二极管及其基本应用电路;1、正向特性;2、反向特性和击穿特性; 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 ; 式中IS 为反向饱和电流，U 为二极管两端的电压降，UT =kT/q 称为温度的电压当量，k为玻耳兹曼常数，q 为电子电荷量，T 为热力学温度。对于室温（相当T=300 K），则有UT=26 mV。;（1）uD0时PN结正向偏置， （2） uD0时PN结反向偏置， 当温度一定时，反向饱和电流是个常数IS。 ;4、二极管的主要参数; (3) 反向电流IR;3.2.2 二极管的等效电路及其分析方法;2、模型分析法 1）折线近似法 （1）理想模型 （2）恒压降模型 （3）折线模型;3.2.3 基本应用电路 1、整流电路 2、限幅电路 3、开关电路;3.3.1 稳压二极管;; 从稳压二极管的伏安特性曲线上可以确定稳压二极管的参数。;(2) 稳定电流IZ ——; 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。 电阻的作用一是起限流作用，以保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。;3.3.2 稳压管的基本应用电路; 解得 　　 由此可算出： （１）当Ui＝（１０－１）Ｖ＝９Ｖ时， IZ＝5.95ｍＡ＞ IZmin　说明电路能够正常工作。 （２）当Ui ＝（１０＋１）Ｖ＝１１Ｖ时， IZ＝１５．７８ｍＡ　　所以稳压管的电流变化为 ΔＩＺ＝ （１５．７８－５．９５）ｍＡ＝９．８３ｍＡ 输出电压变化为 ΔＵｏ＝ΔＵＺ＝ｒＺ·ΔＩＺ≈０．２０Ｖ 由此可看出，输入电压Ui变化±１Ｖ（９～１１Ｖ）时，输出电压Uo 仅变化±０．２０Ｖ，稳压特性明显。在实际工程应用中，常常忽略动态电阻ｒＺ的影响。