第1章 二极管与三极管.pptVIP

;参考： 1.秦增煌《电工学 电子技术》; 器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差，工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。;第1章 半导体二极管和三极管;1.1 半导体的导电特性;1.1.1 本征半导体;硅和锗的共价键结构;+4;本征半导体的导电机理;本征半导体的导电机理;1.1.2 N型半导体和P型半导体;前一页;杂质半导体的示意表示法;1.2 PN 结; 因浓度差 ? 多子的扩散运动?由杂质离子形成空间电荷区 ;;2. PN 结加反向电压（反向偏置）;PN 结的单向导电性;1.3 二极管;;1.3.2 伏安特性;1.3.3 主要参数;二极管的单向导电性; 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。; 二极管电路分析举例 ;电路如图，求：UAB;两个二极管的阴??接在一起 求：UAB 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。;ui 8V 二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V 二极管截止，可看作开路 uo = ui;1.4 稳压二极管;3. 主要参数;1.5 半导体三极管;B;符号：;1.5.2 电流放大原理;2. 各电极电流关系及电流放大作用;3. 三极管内部载流子的运动规律;3. 三极管内部载流子的运动规律;ICE 与IBE 之比称为共发射极电流放大倍数;输入回路;1. 输入特性;2. 输出特性;IC(mA );IC(mA ); 输出特性三个区域的特点：;15.5.4 主要参数;例1：UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。;2. 集-基极反向饱和电流 ICBO;3. 集-射极穿透电流 ICEO;4. 集电极最大允许电流ICM;6. 集电极最大允许耗散功耗PCM;IC;晶体管参数与温度的关系;（1）V1=3.5V， V2=2.9V， V3=12V。;作业：