第5章 场效应管与其基本放大电路.pptVIP

第5章 场效应管及其放大电路;特点：;5.1.1 结型场效应管;2.工作原理;①栅源电压VGS对iD的控制作用;②漏源电压VDS对iD的影响;3. 转移特性和输出特性;一、增强型 N 沟道 MOSFET (Metal Oxide Semi— FET);2 N沟道增强型管的工作原理;1)uGS 对导电沟道的影响 (uDS = 0);EG;EG;2) uDS 对 iD的影响(uGS UGS(th));3) 特性曲线;N型衬底;二、耗尽型绝缘栅场效应管; 由于耗尽型场效应管预埋了导电沟道，所以在UGS= 0时，若漏–源之间加上一定的电压UDS，也会有漏极电流 ID 产生。;(2) 耗尽型N沟道MOS管的特性曲线;(3) P 沟道耗尽型管;耗尽型;N 沟道增强型;O uDS /V;不同类型 FET 转移特性比较;场效应管的主要参数;UGS(th);4. 低频跨导 gm ;PDM = uDS iD，受温度限制。;场效应管与晶体管的比较;5.2 场效应管放大电路;1.自给偏压式偏置电路;+UDD ;+UDD ;2. 分压式偏置电路;NMOS管的低频小信号简化等效电路如图所示。 ;二、 动态分??;(2) 动态分析;3. 源极输出器(共漏极放大电路）;2.输入电阻;3.输出电阻;解：