3.双极结型三极管与放大电路基础.ppt

4.1 半导体三极管;4.1 半导体三极管;4.1.1 BJT的结构简介; 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。; 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏 集电结反偏;2. 电流分配关系; ? 是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 。;3. 三极管的三种组态;共基极放大电路; 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。;4.1.3 BJT的V-I 特性曲线;饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。;(1) 共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB ≈IC / IB ? vCE=const;1. 电流放大系数 ;IB = 40 ?A, → IC =1.7 mA；; 2. 极间反向电流; (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ;(1) 集电极最大允许电流ICM; 3. 极限参数;IC(mA );4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响;2. 温度对BJT特性曲线的影响: （1）对输入特性的影响 温度升高时，BJT共射极连接时的输入特性曲线将向左移动，这说明在iB相同的条件下，vBE将减小。 vBE随温度的变化规律与二极管正向导通电压随温度变化的规律一样，即温度每升高1 ℃， vBE减小2mV~2.5mV。 （2）对输出特性的影响 温度升高时，BJT的ICBO、 ICEO、 ?都将增大，结果导致BJT的输出 特性曲线向上移动，而且各条曲线 间的距离加大。;符号规定;RL;1、元件的作用 ;1、元件的作用 ;1、元件的作用 ;4.2.2 基本共射极放大电路的工作原理;4.2.2 基本共射极放大电路的工作原理;4. 3 放大电路的分析方法;4.3 放大电路的分析方法;直流通道和交流通道 ;直流通道和交流通道 ;4.3.1 图解分析法;4.3.1 图解分析法;? 在输出特性曲线上，作出直流负载线 VCE=VCC－iCRc，与IBQ曲线的交点即为Q点，从而得到VCEQ 和ICQ。;? 根据vs的波形，在BJT的输入特性曲线图上画出vBE 、 iB 的波形;? 根据iB的变化范围在输出特性曲线图上画出iC和vCE 的波形;? 共射极放大电路中的电压、电流波形;ui=0时;结论： （1）uo与ui的相位相反。 （2）uBE、iB、uCE、iC都是由直流和交流两个部分组成的。 （3）我们所说的放大作用是指输出与输入的交流成分的关系，不包括直流成分。;3. 静态工作点对波形失真的影响;饱和失真的波形;ui;电路参数的改变时对Q点的影响 ;4. 图解分析法的适用范围;4.3.2 小信号模型分析法;1. BJT的H参数及小信号模型;输出端交流短路时的输入电阻；;1. BJT的H参数及小信号模型;1. BJT的H参数及小信号模型;1. BJT的H参数及小信号模型;1. BJT的H参数及小信号模型;4.3.2 小信号模型分析法;2. 用H参数小信号模型分析基本共射极放大电路;2. 用H参数小信号模型分析基本共射极放大电路;2. 用H参数小信号模型分析基本共射极放大电路;3. 小信号模型分析法的适用范围;共射极放大电路;4.4 放大电路静态工作点的稳定问题;4.4.1 温度对静态工作点的影响;4.4.2 射极偏置电路;b点电位基本不变的条件：;1. 基极分压式射极偏置电路;②电压增益;②电压增益;③输入电阻;④输出电阻;2. 含有双电源的射极偏置电路;2. 含有双电源的射极偏置电路;3. 含有恒流源的射极偏置电路;4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路;4.5.1 共集电极放大电路;①小信号等效电路;4.5.1 共集电极放大电路;4.5.1 共集电极放大电路;④输出电阻;共集电极电路特点：;4.5.2 共基极放大电路;2.动态指标;② 输入电阻;4.5.3 放大电路三种组态的比较;2.三种组态的比较;3.三种组态的特点及用途;4.6 组合放大电路;2、耦合方式：