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第三章_场效应管与其放大电路
2 场效应管放大电路静态工作 点的设置方法;场效应管放大电路;场效应管放大电路;3.1 场效应三极管;3.1.1 绝缘栅型场效应管;一、N 沟道增强型 MOS 场效应管;2. 工作原理;(2) UDS = 0，0 UGS UT;(4) UDS 对导电沟道的影响 (UGS UT);D;3. 特性曲线;二、N 沟道耗尽型 MOS 场效应管;N 沟道耗尽型 MOS 管特性;D;P 沟道场效应管;二、工作原理; 1. 设UDS = 0 ，在栅源之间加负电源 VGG，改变 VGG 大小。观察耗尽层的变化。; 2. 在漏源极间加正向 VDD，使 UDS 0，在栅源间加负电源 VGG，观察 UGS 变化时耗尽层和漏极 ID 。;G;三、特性曲线;1. 转移特性;IDSS/V; 场效应管的两组特性曲线之间互相联系，可根据漏极特性用作图的方法得到相应的转移特性。;综上分析可知; 结型场效应管的缺点：;种 类;种 类;各类场效应管工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性; 不同FET类型对偏置电压的要求;双极型和场效应型三级管的比较;;场效应管的特点：;3.3 场效应管的主要参数 ; UT是增强型场效应管的重要参数, 它的定义是当UDS一定时, 漏极电流ID达到某一数值(例如10μA)时所需加的UGS值。 ?;3.3.2 交流参数;3.3.3 极限参数
1.漏极最大允许耗散功率PDm
PDm与ID、UDS有如下关系: ;3. 栅源间击穿电压BUGS;三种基本组态：共源(CS)、共漏(CD)和共栅(CG);1）基本共源极放大电路;一、静态分析; (二) 图解法;图 3.16 场效应管共源放大电路
;由正电源获得负偏压
称为自给偏压; 图 3.17分压偏置式共源放大电路
;一、静态分析;+
?;根据漏极回路方程;【例1】;【例2】;由转移特性得:开启电压VT=2V；
当VGS=2VT=4V时，ID=IDO=1.9mA。;【例3】;∴MOS工作在放大区，假设正确。;二、场效应管线性与开关;BCQD段：VT＜vGS＜6V，FET工作在恒流区（放大区）内。;EFG段：vGS＞6V ，FET工作在可变电阻区，vO≈0 ;当vGS=9V时，工作点移至F点，MOS管工作于可变电阻区，vDS=0.2V，相当于开关接通；
当vGS=0V时，工作点移至A，MOS管截止，vDS=12V, iD=0,相当于开关断开。; 用作压控电阻;小 结;第四章 集成电路中的电子器件;1、复合管
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