第三讲 半导体二极管与三极管.pptVIP

第三讲 半导体器件;1.本征半导体; 在半导 体中，同 时存在着 电子导电 和空穴导 电。空穴 和自由电 子都称为 载流子。 它们成对 出现，成 对消失。;2. N型半导体和P型半导体; P型半导体;用专门的制造工艺在同一块半导体单晶上，形成P型半导体区域和N型半导体区域，在这两个区域的交界处就形成一个PN结。;空间电荷区;PN结的单向导电性;外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走;由上述分析可知：;二、二极管 1.结构 ;半导体二极管;第一部分;2.二极管的伏安特性;1.正向特性 （1）不导通区OA段 当二极管两端的电压为零时，电流也为零。当电压开始升高时，电流很小且基本不变。这一段称作不导通区或死区。与它相对应的电压叫死区电压（或门槛电压），一般硅二极管约0.5V，锗二极管约0.1V。 （2）导通区AB段 通过二极管的电流随加在两端的电压微小的增大而急剧增大，这一段称作导通区，一般硅二极管约为0.6~0.8V，锗二极管约为0.2~0.3V。 ;2.反向特性 （1）反向截止区OC段。反向电压开始增加时，反向电流略有增加，随后在一定范围内不随反向电压增加而增大，通常称为反向饱和电流。 （2）反向击穿区CD段 当反向电压增大到超过某个值时（图中C点），反向电流急剧加大，这种现象叫反向击穿。C点对应的电压叫反向击穿电压UBR，其特点是：反向电流变化很大，相对应的反向电压变化却很小。;硅二极管和锗二极管的伏安特性之间有一定的差异： (1) 锗二极管的死区较小，正向电阻也小，导通电压低（约0.2V）。但受温度影响大，反向电流也较大。击穿以后，锗管两端电压变化较大，无稳压特性。 (2)硅二极管的死区较大，正向电阻也较大，导通电压较高（约0.7V）。但受温度影响小，反向电流也很小。击穿后，硅管两端电压基本不变，有稳压作用。;1．最大整流电流IFM 常称额定工作电流，它是指长期使用时，允许流过二极管的最大平均电流。 2．反向击穿电压UBR 指二极管加反向电压时，当反向电流达到规定的数值时，二极管所加反向电压就是反向击穿电压，它反映二极管反向击穿状态。 3．最高反向工作电压（峰值）URM 常称额定工作电压，它是为了保证二极管不致反向击穿而规定的最高反向电压。 ; 半导体二极管的选择 选择二极管的一般原则是： (1) 若要求导通后正向压降小时，选锗管；若要求反向电流小时，选硅管。 (2) 要求工作电流大时选面接触型；要求工作频率高时选点接触型。 (3) 要求反向击穿电压高时选硅管。 (4) 要求耐高温时选硅管。;二极管应用举例 钳位 将电路中某点的电位值钳制在选定的数值上，而不受负载变动影响的电路叫钳位电路。;限幅 ;特殊二极管 1.稳压管 （1）稳压管及其伏安特性。稳压管是一种用特殊工艺制造的面接触型硅二极管，它在电路中能起稳定电压的作用。 稳压管通常工作在反向击穿区。 （2）稳压管的主要参数 稳定电压UZ:指稳压管在正常工作时管子两端的电压。 稳定电流IZ:指稳压管保持稳定电压UZ时的工作电流值。 最大工作电流IZM :指稳压管允许流过的最大反向电流。;2.发光二极管 （1）结构和工作原理。发光二极管简写为LED（Light Emitting Diode）。当管子正向导通时将会发光。 优点： 发光二极管具有体积小、工作电压低、工作电流（10~30mA）、发光均匀稳定、响应速度快和寿命长等优点。 ;3、光电二极管 （1）结构与工作原理:光电二极管又??光敏二极管，它是一种将光信号转化为电信号的器件。 光电二极管工作在反偏状态下，当无光照时，与普通二极管一样，反向电流很小，称为暗电流。当有光照时，其反向电流随光照强度的增加而增加，称为光电流。;半导体三极管BJT ： (双极型三极管，晶体三极管） Bipolar Junction Transistor 三极管是具有电流放大作用的半导体器件，1947年在美国的贝尔实验室诞生，开创了微电子技术的新时代。; 发射区; 两种类型的三极管;由两个背靠背的PN结组成的三层杂质半导体。;结构特点：;晶体管的电流放大原理;三极管的电流控制原理;特性曲线和主要参数;场效应管;B;N沟道结型管;工作原理;(2) 0 UGS UGS(th);(3) UGS UGS(th);由上述讨论可知:;UGS的作用;-;-; 预夹断以后，uDS超出│ UGS(off) │的部分加在夹断区上，iD不受uDS的控制，只受uGS控制。;练 习 怎样利用二极管进行全波整流