精选5第五章 非平衡载流子1.ppt

(2) 光激发载流子的衰减 均匀掺杂的N型半导体，光均匀照在半导体上，其内部均匀地产生非子，没有电场，内部也没有其它产生，求光照停止后的衰减方程。 ●均匀掺杂，均匀光照： * ●无电场：E = 0 ●内部无其它产生：gp=0 非平衡载流子衰减时遵守的规律 t=0，停止光照，?p(0)=?p0，?A=?p0 * (3) 扩散方程 光照均匀掺杂的N型半导体，无电场，无其它产生时的稳态方程。 E =0，gp =0， 稳态 均匀掺杂： (p =p0+?p) * 稳定扩散情况下非平衡少子所遵循的扩散方程 * 第五章 非平衡载流子 一、非平衡载流子的产生、平均寿命、 平均扩散长度及浓度的计算 二、非平衡载流子的复合 1.直接复合：小注入时，非子寿命决定于多子浓度 大注入时，非子寿命决定于注入。 2.间接复合：小注入时非子寿命决定于少子寿命 * 小注入的N 型材料 小注入的P型材料 大注入时： * 3.有效复合中心：Et=Ei 三、陷阱效应 1. 有效陷阱： 2. 电子陷阱是存在于P型材料中 空穴陷阱是存在于N型材料中 四、非平衡载流子的运动 1.载流子的扩散电流和漂移电流 2.爱因斯坦关系 * 3.少子的电流连续方程 ? 稳态时非平衡少子的分布 ? 光激发非平衡载流子的衰减 * x △p 0 Lp * ↑ ↑ ↑ 表面处的空穴 扩散流密度 向内扩散的空穴流的大小如同表面的空穴以 Dp/Lp的速度向内运动一样。 * w 注入 抽出 * * x △p 0 w 常数 非平衡载流子在样品中没有复合 * 3．非平衡载流子的扩散电流密度 空穴扩散电流密度 电子扩散电流密度 * (Jp)扩→ (Jn)扩← 二、载流子的扩散和漂移运动 N型材料, 在 x 方向加光照、电场 (Jp)漂→ (Jn)漂→ x, E * 1．少子空穴电流 非平衡少子扩散电流： +x方向 非平衡空穴和平衡空穴形成的漂移电流： +x方向 少子电流密度： * 2．多子电流密度 非平衡多子形成的扩散电流： -x方向 平衡多子与非平衡多子的漂移电流： +x方向 * ?多子电流密度： 3．总的电流密度 J=Jp+Jn * 三、爱因斯坦关系 非简并情况下载流子 迁移率和扩散系数关系 迁移率：反映载流子在电场作用下运动的 难易程度 扩散系数：反映存在浓度梯度时载流子运 动的难易程度 * 考虑一块处于热平衡状态的非均匀的N型半导体，其中施主杂质浓度随x增加而下降，电子浓度为no(x) * 电子扩散电流密度： 漂移电流： 平衡时电子的总电流等于0 Jn=(Jn)漂+(Jn)扩=0 * 导带底的能量应为Ec－qV(x)， －qV(x)附加的静电能 * * 对于空穴： 室温时：k0T = 0.026 eV Si中：?n=1350cm2/vs * 总电流密度： * 1．少子电流连续性方程的一般形式 影响因素主要有： ● 由于电流的流通（载流子的扩散和漂移运 动），从而使某个体积内的载流子?。 ● 由于载流子复合使非子浓度?。 ● 由于内部有其它产生，使载流子?。 四、电流连续性方程 * 以N型半导体为例 (1) 少子流通 x x x+△x 取一小体积元dV，横截面为单位面积 假设流进dV多，每秒钟净留在dV中的空穴数为： Sp(x)→ →Sp(x+△x) * 在单位时间中净留在单位体积中的空穴数为： * * (2) 其它因素的产生率gp (3) 复合率： 少子浓度随时间的变化规律： 对于P型材料，少子连续方程： * 2．连续性方程的应用 (1) 稳态少子连续性方程 假设材料为N型材料，均匀掺杂，内部也没有其它产生，沿x方向加光照后，并加均匀电场，求达到稳态时少子的分布规律。 ●均匀掺杂： * ●均匀电场： ●稳态： ●内部没有其它产生：gp=0 稳态时少子的连续方程为： * 令： 牵引长度： 空穴在电场作用 下，在寿命?内所 漂移的距离。 * * 对很厚的样品： * ?A=0， * ● 电场很强 * 扩散运动可以忽略 * x △p 0 △po Lp(E) △po/e Lp(E) 牵引长度 * ● 电场很弱 ?p?pE 很低，Lp(E)Lp 漂移运动可以忽略 * 小注入时非子的寿命决定于少子的寿命。 (3) 大注入 * 4．有效复合中心 * 若： * * 当 时， 最小, U极大 位于禁带中央的深能级是最有效的复合中心 * ● 如果 Et ? Ec，那么由 Ec—