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少数载流子寿命τ • 少数载流子（例如，在P型材料中，电子为少子而空穴为多子） − τ表示少子和多子复合的时间：复合时间 – 是指系统经受扰动后重新回到平衡状态，例如，通过光照 激 发 复合 半导体中的深能级将捕获载流子，同时/或者成为载流子复合的有利位置。 通过深能级的复合 激发与复合 • 激发 – 光子诱导或热激发，G为单位体积和单位时间内产生的载流子数目 – 例如，g=P/hν – G0为载流子产生的平衡速率 • 复合 – R为单位体积和单位时间内复合的载流子数目 – R 为载流子复合的平衡速率，与G 相对应 0 0 • 载流子密度的净改变量 – dn/dt=G-R=G-(n-n0)/τ=G-Δn/τ – 在稳态光照条件下：dn/dt=0 – np(0)=np0+Gτ 当关闭光照后: 1 主要过程：漂移与扩散 • 电场：漂移 I =epv A ; J =epμ E h d h h I =epv A ; J =epμ E e d e e • 浓度梯度：扩散 J =-eD ∇p h h J =-eD ∇n e e J =epμ E-eD ∇p hTOT h h J =enμ E+eD ∇n eTOT e e 电化学势 电化学势 E F 化学势 静电势 注意： 平衡条件下 2 连续介质方程 • 对于给定体积，载流子浓度随时间的变化与J相关： 一维情形下， 少数载流子扩散方程 • 许多器件的性能由电场外的载流子行为控制--少数载流子器件 • 这些区域仅存在扩散 假设在低能级注入条件下： 因此： 3 少数载流子扩散方程的应用 • 例子：半导体表面的光照 （在块体中） X=0 时的G （假设一个无 限吸收系数以进行简化） 稳态解 现在使用所述问题的边界条件： 长度单位： 少子扩散长