单晶硅表面载流子动力学的超快抽运探测.pdfVIP

第 35 卷 　第 9 期 中　 国 　激 　光 Vol . 35 , No . 9 　 2008 年 9 月 C H IN ESE J OU RN AL O F L A SER S Sep t ember , 2008 　　文章编号 :(2008) 单晶硅表面载流子动力学的超快抽运探测 刘国栋 　王贵兵 　付 　博 　江继军 　王伟平 　罗 　福 ( 中国工程物理研究院流体物理研究所 , 四川 绵阳 62 1900) 摘要 　利用 800 nm 波长的飞秒抽运探测技术测量了单晶硅表面 50 p s 内的瞬态反射率变化 ,研究了表面载流子的 超快动力学过程 。基于自由载流子密度变化过程建立的反射率模型可以很好地描述瞬态反射率变化 ,说明受激 自 ( ) 6 由载流子超快响应的贡献主导了反射率的变化过程 ,经拟合获得了样品的表面复合速度 SRV 为1. 2 ×10 cm/ s 。 建立了耦合的载流子输运模型 ,探讨了单晶硅表面热载流子的密度 、温度随时间的演化过程 。研究表明 ,表面复合 过程是影响本征单晶硅表面载流子动力学的重要因素 。 关键词 　超快光学 ;飞秒激光 ;抽运探测 ;载流子动力学 ;单晶硅表面 中图分类号 　TN 247 　　　文献标识码 　A 　　　doi : 10 . 3788/ CJL. 1365 Ultrafast PumpProbe Reflectivity Study of Carrier Dyna mics in Sil icon Surface Liu Guo dong 　Wang Guibing 　Fu Bo 　J ian g J ij un 　Wang Weiping 　L uo Fu ( ) I ns ti t ute of F l ui d P hy s ics , Chi na A ca demy of Eng i nee ri ng P hy s ics , M i any ang , S ich uan 62 1900 , Chi na Abstract 　Timeresolved reflectivit y changes of cry st alline silicon surface on a 50p s time scale have been mea sured (λ ) u sing t he femto second = 800 nm p umpp robe t echnique , and t he ult rafa st carrier dynamics are al so investigat ed . Timeresolved reflectivit y changes can be well described by t he reflectivit y mo del which i s based on t he time evolution of f ree carrier den sit y . Thi s implies t hat t he ult rafa st respon se of reflectivit y i s dominat ed by t he excit ed freecarrier cont ribution