弯曲法测杨氏模量及霍尔位置传感器的定标.pdfVIP

SUES 大学物理选择性实验讲义 磁学 弯曲法测杨氏模量及霍尔位置传感器的定标 随着科学技术的发展，微小位移测量技术也得到迅速的发展。本实验介绍一 种近年来新出现的先进的霍尔位置传感器，利用磁铁和霍尔传感器之间位置变化 而输出的信号来测量微小位移。本实验运用该技术测量金属梁的微小形变，对霍 尔位置传感器的定标和弯曲法测定金属的杨氏模量。通过实验可使学生加深对霍 尔传感器应用的认识，学会新型传感器的定标，不同量值长度的测量和不同长度 测量仪器的使用方法。 一 实验目的 1 、弯曲法测量黄铜的杨氏模量； 2 、熟悉霍尔位置传感器的特性，对霍尔位置传感器定标； 3 、利用定标曲线，用弯曲法测量铸铁的杨氏模量。 二 实验设备 霍尔位置传感器测杨氏模量装置（如图 1 ）、直尺、游标卡尺，千分尺 三 实验原理 1 霍尔效应 1879 年，美国物理学家霍尔发现，当电流垂直于外磁场的方向流过某导体 时，在垂直于电流 和磁场 的方向，该导体的两侧会产生电势差 H ，它的大 修订于 2010 年 8 月8 日 1 弯曲法测杨氏模量及霍尔位置传感器的定标 图 1. 霍尔位置传感器测杨氏模量装置：1 、铜刀口上的基线；2 、读数显微镜；3 、刀口；4 、 横梁；5 、铜杠杆（顶端装有95A 型集成霍尔传感器）；6 、磁铁盒；7 、磁铁（N 极相对放 置）； 8 、调节架；9 、砝码。 小与电流和磁场的乘积成正比。这一现象被称为霍尔效应。一般来说，金属和电 介质的霍尔效应较小，半导体的霍尔效应较显著。霍尔效应的数学表达式为 H = (1) (1)式中 为元件的霍尔灵敏度。如果保持霍尔元件的电流 不变，而使其在一 个均匀梯度的磁场中移动时，则输出的霍尔电势差变化量为： d ∆H = ∆ (2) d (2)式中 ∆ 为位移量，此式说明若 d 为常数时， ∆H 与 ∆ 成正比。 d 若 H 与 的初值都为零，则： d H = (3) d 为实现均匀梯度的磁场，可以如图 2 所示，两块相同的磁铁（磁铁截面积及 表面磁感应强度相同）相对放置，即 N 极与 N 极相对，两磁铁之间留一等间距 间隙，霍尔元件平行于磁铁放在该间隙的中轴上。间隙大小要根据测量范围和测 量灵敏度要求而定，间隙越小，磁场梯度就越大，灵敏度就越高。磁铁截面要远 大于霍尔元件，以尽可能的减小边缘效应影响，提高测量精确度。 霍尔电势差与位移量之间存在一一对应关系，当位移量较小（ 2 mm ），这 一对应关系具有良好的线性。 2 弯曲法测杨氏模量及霍尔位置传感器的定标 图 2. 2 杨氏模量 固体、液体及气体在受外力作用时，形状与体积会发生或大或小的改变，这 统称为形变。当外力不太大，引起的形变也不太大，撤掉外力，形变就会消失， 这种形变称为弹性形变。弹性形变分为长变、切变和体变三种。 一段固体棒，在其两端沿轴