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igbt 发射极电感对开通延迟时间的影响 - 嘉兴斯达半导体股份有限公司.pdf

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    嘉兴斯达半导体有限公司发射极电感对开通延迟时间的影响撰写审阅简介在开通过程中有一个开通延迟时间在理想模型下该时间的长短主要由门极电阻和的输入电容决定但是实际功率模块中不管是键合铝线还是端子引出部分都有一定的接线距离因此回路中寄生电感是必然存在的引入发射极电感的模型和理想的不含发射极电感的模型会有一定的差距但大多数文献都仅止与定性的分析本文对发射极电感在开通延迟时间的影响做进一步量化的讨论引言在物理意义上所谓的开通延迟时间是指门极在加上开通信号之后直到门极电压开启电压为止的这一段时间但在一般文献或

    嘉兴斯达半导体有限公司 STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. 2011—09—22 IGBT 发射极电感对开通延迟时间的影响 撰写：F.A.E.Team 审阅：Norman Day 简介： IGBT 在开通过程中有一个开通延迟时间（turn on delay ），在理想模型

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