极低电源电压和极低功耗的亚阈值sram存储单元设计 - 东南大学学报.pdf

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第卷第期东南大学学报自然科学版年月极低电源电压和极低功耗的亚阈值存储单元设计柏娜冯越尤肖虎时龙兴东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京安徽大学电子信息工程学院合肥东南大学移动通信国家重点实验室南京摘要提出一款可以工作在极低电源电压条件下功耗极低的亚阈值存储单元为使本设计在极低电源电压条件下依然能够保持足够的鲁棒性采用差分读出方式和可配置的操作模式为极大限度地降低电路功耗采用自适应泄漏电流切断机制该机制在不提高动态功耗与不增加性能损失的前提下可同时降低动态操作读写操作和静态操作时的泄漏电

第43卷第2期 东南大学学报(自然科学版) Vol.43 No.2   2013年3月 JOURNALOFSOUTHEASTUNIVERSITY(NaturalScienceEdition)   Mar.2013 doi:10.3969/j.issn.1001-0505.2013.02.008 极低电源电压和极低功耗的亚阈值SRAM存储单元设计 1,2,3

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