摩擦配向技术对聚亚醯胺电阻式记忆体特性之研究.pdf

摩擦配向技術對聚亞醯胺電阻式 記憶體特性之研究 指導教授 :楊文祿 學生 :魏賢凱張原彰 謝昆廷 報告日期 : 2017/06/12 1 溶凝膠法取得二氧化矽電阻式記憶 體之可調變開關特性研究 指導教授 :楊文祿 學生 :魏賢凱張原彰 謝昆廷 報告日期 : 2017/03/22 2 二氧化矽電阻式記憶體 (SiO2 based RRAM) • SiO2薄膜是最常用來 當作絕緣層的一種材 料 圖 1 RRAM基本結構,(M- I-M) 3 溶凝膠法步驟 •水解 (Hydrolysis)與縮合(Condensation)或聚合 (Poly-condensation)反 應 • 凝膠化 (Gelation) •塗層(Coating) •乾燥 (Drying) •熱處理(Heat Treatment) 4 實驗方法與步驟 圖2 不同莫耳比例的溶液 圖3 溶凝膠法製成示意圖 5 實驗方法與步驟 圖 4 Cu or Ag/oxide/TaN 元件結構示意圖 6 薄膜物性分析 圖5 Sample D的樣品之SEM 表面形貌圖 圖6 Sample E的樣品之SEM 表面形貌圖 7 電壓電流特性分析 圖 7 Cu/oxide/TaN的 forming 電壓之 I-V曲線比較圖 8 電壓電流特性分析 圖 8 Sample A 與 Sample D的 forming電壓之 I-V曲線 圖 9 Sample B 與 Sample E的 forming電壓之 I-V曲線比 比較圖 較圖 9 初始漏電流與Forming電壓穩定性分析 圖 10 Forming電壓分佈圖 圖 11 Initial電流分佈圖