自旋场效应晶体管中隧道磁阻的势垒相关反转效应-物理学报.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 21 (2014) 217202 自旋场效应晶体管中隧道磁阻的势垒 相关反转效应∗ 杨军 章曦 苗仁德 (解放军理工大学理学院, 南京 211101) ( 2014 年8 月1 日收到; 2014 年8 月13 日收到修改稿) 考虑自旋场效应晶体管中Rashba 自旋轨道相互作用和自旋输运量子相干性, 研究了势垒强度对自旋场 效应晶体管的自旋相关量子输运的影响. 研究发现, 势垒强度较低时, 隧道结电导随Rashba 自旋轨道相互作 用强度的变化呈现明显的振荡现象, 势垒强度较高时, 电导表现出明显的势垒相关“电导开关” 现象. 当势垒 强度逐渐增强时, 平行结构电导呈现出单调下降趋势, 而反平行结构电导产生波动, 这种波动导致该隧道磁阻 也随势垒强度的变化表现出振荡现象, 且在合适的准一维电子气厚度情况下隧道磁阻值可以产生正负反转, 这个效应将会在基于自旋的电子器件信息的存储上获得应用. 关键词: 自旋场效应管, 开关效应, 量子相干, 隧道磁阻 PACS: 72.10.–d, 72.20.–i, 73.50.Jt DOI: 10.7498/aps.63.217202 ta 和 Das 首次提出了极富创意的DATTA-DAS 自 1 引 言 旋场效应晶体管引起了人们的极大兴趣7 , 此结构 中源极和漏极都采用磁性材料, 电流调制起源于注 近年来, 自旋电子学由于其潜在的应用前 入半导体通道的自旋极化电子受到Rashba 自旋轨 景引起了人们的极大兴趣1 , 磁性隧道结作为 道耦合效应的作用引起的自旋进动. Rashba 自旋 自旋电子器件的基本单元也因此成为研究热 轨道耦合强度可以通过施加在半导体通道上的门 点. 在磁性隧道结中, 形如FM /I/A/I/FM 双势 电压来控制, 由此可以调节控制源极和漏极间的自 垒结构的磁性隧道结由于其物理内容更加丰 旋电流从而实现晶体管的基本功能. 自旋场效应晶 富而倍受关注. 这里的FM 代表铁磁, I 代表势 垒, A 代表非磁金属(NM ) 2 或半导体(SM ) 3 体管相比传统晶体管有更长的相干寿命, 更快的数 4 5 据处理速度和更低的功率损耗等优势. 或超导体(SC) 及铁磁体等. Yang 等 发现在 NiFe/Al O /Cu/Co 结构中存在本征的隧道磁阻 根据自旋场效应晶体管铁磁电极的磁化方 6 向不同, 自旋场效应晶体管可以被分为自旋阀几 衰减振荡效应, Song 等 在[Pd/Co]/MgO/Co和 [Pd/Co]/MgO/Co/MgO/[Co/Pd] 结构中发现了高 何和自旋晶体管几何, 这两种结构可以简化为铁 达15 kOe, 1 Oe 795775 Am 的线性磁阻, 该 磁/准一维电子气(二维电子气)/铁磁的双隧道结, 发现有望应用于探测高磁场的磁传感器. 在双层 DATTA-DAS 晶体管要真正走向实用需要解决以