IGBT 模块参数详解五-模块整体参数.PDF

IGBT 模块参数详解五-模块整体参数

IGBT 模块参数详解五-模块整体参数 该部分描述与IGBT 模块机械构造相关的电气特性参数,包括绝缘耐压、主 端子电阻、杂散电感、直流电压能力。 绝缘耐压: 为了评定IGBT 模块的额定绝缘电压值,将所有端子连接到一起,接至高压 源高端,基板接至测试仪器低压端。高阻抗高压源必须提供需要的绝缘测试电压 Viso,将测试电压逐渐提升至规定值,该值可由下式确定并保持规定的时间t, 然后将电压降为0。英飞凌的IGBT模块设计至少可达到IEC61140标准的等级1, 对于内部带有NTC 的IGBT 模块,可通过在接地的NTC 与其他连到一起的所有控 制及主端子之间接高压,验证绝缘要求。 合适的绝缘电压取决于IGBT 的额定集电极-发射极电压,对于1700V IGBT 模块大部分应用需要2.5KV 的绝缘耐压要求。但对于牵引应用,同样1700 阻断 电压的IGBT 模块需要4KV 的绝缘耐压能力。因此,选择IGBT 模块时,关注应用 场合是非常重要的。英飞凌除了工业应用的1200V 模块满足VDE0160/EN50178 要求,其他所有的IGBT 模块都按照IEC1287 通过了绝缘测试。因为绝缘测试意 味着模块被施加极端压力,如果客户需要重复测试,则建议降额值最初值的85%。 Insulation test voltage 高压模块也同样采用标准IEC1287 进行局部放电试验,保证长时间工作可靠性。 上图所示规格书中的绝缘耐压测试应该在IGBT 模块的可靠性测试之前及之后进 行,可作为该压力测试下的部分失效判据。内部NTC 的绝缘只是满足一个功能性 隔离要求。在栅极驱动电路失效时,绑定线有可能由于失效事件改变位置,移动 的绑定线或者失效过程电弧放电产生的等离子有可能与NTC 接触。因而,如果有 对绝缘能力有更高的要求,需要额外增加外部绝缘隔板。 杂散电感Lδ 杂散电感在开关转换时会导致浪涌电压,为主要的EMI 来源。同时,结合组件的 寄生电容形成谐振电路,从而使电压及电流在开关瞬间震荡。有杂散电感产生的 瞬间过压可由下式计算,因此为了减少关断瞬间的过压,杂散电感应该设计成最 小。 规格书中的IGBT 模块内部杂散电感值如下图所示,取决于IGBT 的拓扑结构。 Module stray inductance 主端子电阻: IGBT 模块主端子的电阻会进一步造成压降及损耗。手册里规定的单个开关 功率端子的电阻值如下图,该值是指功率端子到芯片之间连接部分阻值。主端子 产生的损耗会直接加到模块的外壳上。 Module lead resistance 根据下图模块端子电阻的等效电路 可以得到整个模块主端子的电阻为 DC stability (VCED) 对于高压模块,宇宙射线的影响会更加严重,规格书规定了会产生可忽略的 失效率100fit 情况下的直流电压值,如上图所示。直流稳定电压是在室温及海 平面下测得,不建议设置直流电压超过VCED。

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