晶体三极管及其放大电路基础.docVIP

第二章 晶体三极管及其放大电路基础 简述三极管制作的结构特点？ 答：基区：很薄且杂质浓度很低；发射区：杂质浓度很高；集电区：面积很大，但杂质浓度远远小于发射区的杂质浓度 简述三极管的放大原理。 答： 1、三极管有三个级：发射极E、集电极C、基极B 有三个区：发射区、集电区、基区 有两个结：发射结、集电结 2、三极管用于放大时，首先保证发射结正偏、集电结反偏。 3、分析以NPN型硅三极管1)、BJT内部的载流子传输过程： 因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流