IC程式烧录器简介.pptVIP

一、可燒錄的IC簡介: 基本IC記憶體的分類: RAM系列 (Random Access Memory) 隨機存取記憶體 SRAM---靜態 (Static) RAM DRAM---動態 (Dynamic) RAM SDRAM: (Synchronous)DRAM系列 ROM系列 (Read Only Memory) 唯讀式記憶體 Mask ROM (光罩式唯讀記憶體) ●PROM (可編程式唯讀記憶體) ●EPROM (擦拭式可編程唯讀記憶體) ●EEPROM (電氣拭除式可編程唯讀記憶體) Flash ROM (快閃記憶體) Other : PLD (PLA、PAL) 可編程邏輯裝置系列 ROM系列 (Read Only Memory) 唯讀式記憶體介紹: 唯讀記憶體是一般電腦/電子產品中最基本的儲存零件,即使在電源關閉之後,其儲存的內容資料也不會流失,所以通常被使用在需要長期的保存一些重要的程式之上,如BIOS、參數碼等等….。 ROM (光罩式唯讀記憶體) : 指在製造時即將資料製成光罩(Mask),再由此大量的製造,所以其內含的資料是不可更改的 PROM (可編程式唯讀記憶體) : PROM是由Mask ROM改良而成,使用者只要利用燒錄器將記憶體中的熔絲燒斷做編程即可,但只能燒錄一次(同CD-R原理),所以又稱為OTP(One Time Programming)零件 PROM燒錄原理如下圖所示，在每一個電晶體的射極都串接一條鎳鉻鐵合金保險絲，當規劃(燒製)資料時，若解碼到的資料線Dn輸入較高的電壓者，造成高電流將熔絲將被燒斷，輸入為“0”者熔絲將保持接通。當正常使用時Dn是做為輸出線使用，被解碼到的電晶體，其射極保險絲燒斷者Dn輸出為“1”，否則為“0”。 由於PROM只能燒錄一次，在製作前要格外謹慎，燒錄電壓並不統一是它的缺點，但裝填密度較EPROM或EEPROM高是它的優點。 EPROM (拭除式可編程唯讀記憶體) : 其材料主要是由MOSFET(金氧半場效應電晶體)所構成,所以在燒錄之後若需要重燒時,可利用紫外線照射加以清除資料,所以EPROM的外觀特色即有一玻璃窗,一般已燒有程式的會以不透光的錫箔貼紙做遮罩,來加以保護內存資料,不過EPROM重覆燒錄的壽命週期不長(10~100次) 一、可燒錄的IC簡介: 商用的EPROM是使用一種浮接閘極累增注入式金氧半導體(floating gate avalanche injection MOS，FAMOS)做為儲存細胞元。基本原理是規劃燒錄時 (如下圖 )，在FAMOS的G2端加以高電壓Vpp (12V~25V脈波)，若此細胞元被解碼且汲極電壓為Vcc，源極電壓為0時，則在FAMOS浮接閘與基底接面產生崩潰效應，誘導出熱電子(高能電子)，此熱電子在Vpp電壓去除後沒有放電路徑而屯積在浮接閘中，導致N通道MOS的源-汲極間截止，這就像PROM的熔絲被燒斷一樣。若想清除浮接閘上的電荷，可用紫外光照射10~20分鐘，浮接閘電荷得到能量後從基底放電，源-汲極就可以恢復導通 EEPROM (電氣拭除式可編程唯讀記憶體) : 上一頁所介紹的EPROM是利用電氣信號做寫入動作,而清除則必須靠UV照射,使用上十分不便,所以EEPROM就是改良成可利用電氣信號直接做寫入與清除的功能,不過缺點為單價過高,此類產品已廣泛使用在電腦、通訊等消費性電子產品之中 Flash ROM (快閃記憶體) : Flash ROM是EEPROM的一種,其不同處在於將整個浮動閘極與通道間的距離做得更薄，使得寫入的時間可達10μS以下，清除的次數則可高達十萬次以上，這類記憶體元件稱為主要讀取記憶體(read mostly memory)，應用於數位相機、數位錄音機、記憶型的IC卡以及取代EPROM的電路中。 EEPROM改良了EPROM以紫外光清除資料的方式，將浮接閘接以較高的電壓來清除資料 EEPROM的清除狀態，控制閘極加0V， P型井端子加以+17V的電壓，浮接閘的電子將以穿透效應進入P型井而放電。 Flash ROM的各種包裝型式: FC(Flash Card) TSOP/CSP/PLCC.. 二、IC燒錄器的功能概述: Features (Example:)