集成电路制作工艺教材.pdfVIP

第2章集成电路制作工艺 体硅CMOS中的闩锁效应 SOI CMOS结构和工艺 BiCMOS结构和工艺 CMOS版图设计规则 体硅CMOS中的闩锁效应 防止闩锁效应的措施 V V V V ss in out DD 1. 减小阱区和衬底的寄 生电阻 2. 降低寄生双极晶体管 n 阱 保护环 的增益 p 型衬底 3. 使衬底加反向偏压 4. 加保护环（右上） 5. 用外延衬底（右下） 6. 采用SOICMOS技术 2.4 SOI CMOS结构和工艺 常规CMOS结构的闩锁效应严重地影响电路的可靠性， 解决闩锁效应最有效的办法——SOI CMOS 注氧隔离和硅片键合等技术的发展使SOI CMOS得到 迅速发展 薄膜全耗尽（FD ）SOI CMOS因其多方面的优势受到 研究者重视 消除常规CMOS中的闩锁效应 极大减小了寄生电容 ,有利于提高速度、降低功耗 便于实现浅结,有利于抑制短沟效应 SOI CMOS结构 n+ p+ n+ p+ n+ p+ 1. 体区和衬底隔离。体电位是浮空会引起浮体效应。需专门设计 体区的引出端。 2. 衬底相对沟道区也相当于一个MOS结构，因此也把SOI MOSFET 的衬底又叫做背栅, 是五端器件 。 SOI MOSFET的性能 厚膜器件 tsi2xdm 。背栅对MOSFET性能基本没有影响，和体硅 MOS器件基本相同 薄膜器件 tsixdm 。在栅电压的作用下可以使顶层硅膜全部耗尽 可以通过减薄硅膜抑制短沟道效应 形成SOI 硅片的基本工艺 (1) 注氧隔离技术（SIMOX） 通过高能量、大剂量注氧在硅中形成埋氧化层. O+的 剂量在1.8×1018cm-2左右；能量~200kev 埋氧化层把原始硅片分成2部分，上面的薄层硅用来 做器件，下面是硅衬底 形成SOI 硅片的基本工艺 (2) 键合减薄技术（BE ） 把2个生长了氧化层的硅片键合在一起，两个氧化层 通过键合粘在一起成为埋氧化层 其中一个硅片腐蚀抛光减薄成为做器件的薄硅膜，另 一个硅片作为支撑的衬底 形成SOI 硅片的基本工艺 (3) 智能剥离技术（smart cut ） 解决了如何用键合技术形成薄膜SOI材料 可以形成高质量的薄硅膜SOI材料 硅片-A 3 低温退火；注氢 处微空腔内氢气 发泡；硅片剥离 硅片-B 键合界面 4 高温退火，增加键合强度， 硅片-A 恢复顶层硅膜中引起的损伤 ；CMP抛光使表面平整 硅片-B 5 形成SOI片 硅片-A SOI 片 基于台面隔离的SOI CMOS基本工艺流程 ＋ ＋