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2017-07-28 发布于河南
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02 半导体中杂质与缺陷

半导体物理(Semic;第二章半导体中的缺陷和杂质2;理想的半导体晶体十分纯净不含;极其微量的杂质和缺陷，能够对半;理论分析认为由于杂质和缺陷的存;2.1 硅、锗晶体中的杂质能级;两种杂质的特点间隙式杂质原子半;以硅中掺入磷（P）为例，研究Ⅴ;多余的电子束缚在正电中心周围，;Ⅴ族元素杂质在硅、锗中电离时，;施主能级用离导带底Ec为ΔED;硅中掺入硼（B）为例，研究Ⅲ族;多余的空穴束缚在负电中心周围，;2.1.3 受主杂质、受主能级;受主能级用离价带顶EV为ΔEA;综上所述Ⅲ族元素Ⅴ族元素掺入半;关于能带图电子能量，从下往上为;（1）氢原子基态电子的电离能;估算结果与实际测量值有相同数量;杂质的补偿作用问题假如在半导;ND 施主杂质浓度 ;NDNA时，受主能级低于施;情况二NAND时，施主能级;有效杂质浓度经过补偿之后，半导;非Ⅲ、Ⅴ族元素掺入硅、锗中???会;深能级杂质，一般情况下在半导体;2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中;2、两性杂质举例：GaAs中掺;当半导体中的某些区域，晶格中的;点缺陷在一定温度下，晶格原子不;动态平衡间隙原子和空位一方面不;在Ⅲ-Ⅴ族化合物中，除了热振动;位错位错也是半导体中的一;第二章重要知识点施主杂质、受主