4第四章光源和光发射机10.9.pptVIP

光源与光发送机;光源;在光纤通信中，将电信号转变为光信号是由光发射机来完成的。光源是光发送机的核心器件。 光源：实现电? 光变换。 半导体光源: □半导体激光器 LD □发光二极管 LED ;4.1 半导体光源的物理基础 4.1.1 孤立原子的能级和半导体的能带 4.1.2 光与物质的相互作用 4.1.3 粒子数反转分布状态 4.2 光源的工作原理 4.3 光源的工作特性 4.4 光发送机 4.5 驱动电路与辅助电路 ;4.1.1 孤立原子的能级和半导体的能带;补充知识：泡利不相容原理;晶体的能带 电子在原子之间作共有化运动，受相邻原子的影响，原子的能级扩展为能带。;能级的跃迁 通过和外界交换能量，原子所处的能级发生跳变 ----能级的跃迁。 □自发辐射 处在E2上的电子自发地跃迁到E1上，并发射一个光子，光子频率为?，能量为： ?=h? =E2-E1 h为普朗克常数，其值为6.626×10-34焦耳·秒 对于大量电子，自发辐射光具有不同的相位，偏振方向，传播方向------非相干光。 半导体发光二极管是自发辐射发光器件。;能级的跃迁 □受激辐射 当处于高能级E2的电子，在受到光子能量恰好为E＝hv＝E2－E1的外来入射光的照射时，电子在入射光子的刺激下，跃迁回到低能级E1，而且辐射出一个与入射光子有相同频率、相同相位和相同传播方向的光子，这种类型的跃迁称为受激跃迁，其辐射称为受激辐射 hv=E2-E1 入射光子和感应光子的频率，相位，偏振方向，传播方向相同。------相干光（全同光）。 半导体激光器是受激辐射的发光器件。 ;E;晶体中电子的跃迁; 晶体中电子按能级的分布 处于E2上的电子数N2 处于E1上的电子数N1 大量分子在没有外加能量的热平衡条件下，电子按能级的分布符合玻尔兹曼分布： N2/N1=exp(-(E2-E1)/Kt) k: 玻尔兹曼常数。k=1.38?10-23 J/K T: 晶体的绝对温度 (0K=-273℃) ;晶体中电子按能级的分布 通常情况下，N2N1， 高能级上的电子数少。 光经过晶体时，受激吸收占主要地位，光被衰减吸收。 如果N2N1，即受激辐射大于受激吸收，当光通过这种物质时，会产生放大作用，这种物质称为激活物质。N2N1的分布和正常状态(N1N2)的分布相反,所以称为粒子(电子)数反转分布。 为了使物质发光，必须进行粒子数反转分布，有多种方法可以实现能级之间的粒子数反转分布状态(泵浦技术），这些方法包括光激励方法、电激励方法等。;粒子数反转分布必要条件：多能级物质;粒子数反转分布形成示意图;第四章 光源与光发送机;4.2半导体光源工作原理; 工作原理：LED发射的是自发辐射光（非相干光）。大多采用双异质结结构，把有源层夹在P型和N型限制层间，但没有光学谐振腔，由于自发辐射而发光。 ;发光二极管常分为三种类型，它们是面发光二极管、边发光二极管、超辐射发光二极管。1. 面发光二极管下图是面发光二极管的典型结构。它由N－P—P双异质结构成。这种LED发射面积限定在一个小区域内，该区域的横向尺寸与光纤尺寸相近。面发光二极管输出的功率较大，一般注入100mA电流时，就可达几个毫瓦，但光发散角大，水平和垂直发散角都可达到120°，与光纤的耦合效率低。 ;球透镜;4.2.1发光二极管;超辐射发光二极管超辐射发光二极管是一种介于激光二极管LD和发光二极管LED之间的半导体光源，它的出现和发展是受到光纤陀螺的驱动，对它的要求是有高的功率输出并有宽的光谱宽度。 超辐射发光二极管在光纤通信中的应用还比较少。;有了“粒子数反转分布”的条件，实现光的放大，如何使光的放大转为光的振荡，成为激光光源呢？;形成激光的三个必要条件;激光器产生激光满足振幅平衡和相位平衡条件 振幅平衡条件 ;;光谱特性;在谐振腔中，光波是在两平面反射镜之间往复传输的，只有平面镜间距离是半波长的整数倍时，光波才能得到彼此加强，即 式中，λ为光波的波长，n为增益介质的折射率，m=1，2，…。利用，可将上式重写成  式中，f为光波的频率，c为光速。 只有那些有增益且增益大于损耗的模式才能在激光的输出光谱中存在。若只剩下一个模称为单纵模激光器，否则称为多纵模激光器。相