只读内存工作.docVIP

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只读内存工作

只读存储器工作原理 只读存储器(ROM),亦称为固件,是一种在生产时用特定数据进行过编程的集成电路。ROM芯片不仅用于 HYPERLINK /pc.htm 电脑,还出现在大多数其他电子设备中。 在本文中,您会了解到几种不同的ROM,还有它们各自的工作原理。本文是探讨计算机存储器的系列文章之一,该系列还包括下列文章: HYPERLINK /computer-memory.htm 计算机存储器工作原理 HYPERLINK /ram.htm 随机存取存储器(RAM)的工作原理 HYPERLINK /virtual-memory.htm 虚拟内存工作原理 HYPERLINK /flash-memory.htm 闪存工作原理 HYPERLINK /bios.htm BIOS工作原理 让我们从分辨几种不同类型的ROM开始来展开我们的讨论。 ROM有五种基本类型: ROM PROM EPROM EEPROM 闪存 在本文中您会了解到,上述的各类ROM都有其独特属性,但它们同属于一种 HYPERLINK /computer-memory.htm 存储器,这种存储器有两个特征: 这些芯片中存储的数据具有非易失性——即断电时不会丢失数据。 这些芯片中存储的数据具有不可变更性,或是需要特定的操作才能变更数据(这与读写数据都很方便的 HYPERLINK /ram.htm RAM不同)。 这就意味着,切断芯片的电源不会丢失任何信息。 工作中的ROM 类似于 HYPERLINK /ram.htm RAM,ROM芯片(见图1)也包含由记忆行与记忆列组成的栅格。但在记忆行与记忆列相交处,ROM芯片与RAM芯片有根本性的区别。RAM使用晶体管打开或关闭通往位于交点处的 HYPERLINK /capacitor.htm 电容器的访问电路,而ROM则使用二极管来控制线路,当二极管取1值时,线路导通。当它取0值时,线路就完全切断。 图1:使用闪存的BIOS,闪存是ROM的一种类型。 一般来说,二极管允许电流单向流通,并且有一个阈值电压,亦称正向导通电压,这一电压决定了导通二极管所需电流的大小。在硅半导体器件(例如 HYPERLINK /microprocessor.htm 处理器和存储器芯片等)中,正向导通电压约为0.6伏。利用二极管这些独特属性,ROM芯片能够生成一个高于正向导通电压的电势,然后这一电势沿着选定的记忆列传导到一个选定的接地(零电势)记忆行上,这样芯片就与存储单元建立了连接。如果在该存储单元处有一个二极管,电流会被导向大地(零电势),并且在 HYPERLINK /bytes.htm 二进制系统下,这一存储单元被认为是“通路”(取1值)。存储单元取0值的情况比较简单,此时相交处的二极管不能连通记忆行与记忆列。因而记忆列上的电势不能传导到记忆行上。 不难理解,ROM芯片的工作方式要求生产时写入芯片的数据必须完好无损。一般ROM芯片不能重复编程或重复写入。如果数据有误或需要更新,您只能把旧的ROM扔掉,然后从新来过。创建ROM芯片的原始模板是一项艰苦的工作,通常要经历一个屡败屡试的过程。但ROM芯片仍然是利大于弊。只要完成了模板的设计,单个芯片的实际成本相当低廉,只有几美分。它们的能耗极低,使用起来非常可靠,并且用于小型电子设备时,它们多数情况下都内含控制设备所需的全部程序。 HYPERLINK /singing-fish.htm 唱歌鱼使用的小型芯片就是一个很好的例子。该芯片大小略同于您的手指甲,写入了几首时长30秒的歌曲片段,并且内含能控制 HYPERLINK /motor.htm 电动机并使其与音乐保持同步的程序代码。 可编程只读存储器(PROM) 如果完全从零开始,生产少量的ROM将会是一件既耗时又耗财的工作。主要针对这一点,开发商发明了一种新型ROM,称为可编程只读存储器(PROM)。空白的PROM价格低廉,只要你拥有一种称为编程器的特殊工具,就能将代码写入其中。 PROM芯片(见图2)同普通ROM一样,由记忆行与记忆列相交而成的栅格组成。区别在于,PROM芯片中记忆行与记忆列的每一个交点都是靠熔丝将它们连接起来。电势会沿记忆列导向接地的记忆行,电流会流经存储单元处的熔丝,这表示存储单元取1值。由于全部的存储单元都有熔丝,因而PROM芯片所有存储单元的初始(空白)状态都是1值。若想将单元值变为0,必须使用编程器向存储单元发送一定量的电流。更高的电压能烧断熔丝,并造成记忆行与记忆列之间形成开路。这一过程称为烧制PROM。 图2 PROM只能进行一次编程。它们比ROM更娇气。静电电击很容易就能烧断PROM中的熔丝,从而使得关键 HYPERLINK /bytes.htm 位元的取值由1变为0。空白PROM

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