EM6164K600TFA55IF中文资料Eorex中文数据手册「EasyDatasheet 矽搜」.pdfVIP

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2017-07-29 发布于北京
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芯片中文手册,看全文,戳easyds.cn 64Kx16 LP SRAM EM6164K600V系系列列概概述述该EM6164K600V是由16位组织为65,536字1,048,576位低功耗CMOS静态随机存取存储器.它是用非常高高性能,高可性CMOS技术制成. 其待机电流工作温度范围内稳定. 所述EM6164K600V是精心设计低功率应用,并特别适用于电池备份非易失性存储器应用程序. 该EM6164K600V工作从2.7V〜3.6V单电源供电,所有输入和输出都完全TTL兼容特特征征快速存取时间：45/55/70ns 三态输出低功耗：数据字节控制：工作电流： LB# (DQ0 ~ DQ7) 23/20/ 18mA (TYP.) UB# (DQ8 ~ DQ15) 待机电流：-L / -LL版本数据防护持电压：1.5V （MIN） 10/ 1 A (TYP.) 包：单2.7V〜3.6V电源 44针400万TSOP-II 所有输入和输出TTL兼容 48球6mm x8毫米TFBGA 全静态操作功功能能框框图图 Vcc Vss 64Kx16 A0-A15 解码器记忆 ARRAY DQ0-DQ7 I / O数据列I / O 低字节 CURCUIT DQ8-DQ15 最高字节 CE# W E# 控制