2 MOSFET概念深入.pptVIP

* 正常工作条件下，寄生npn管发射结零偏，不能导通，对MOSFET的工作没有影响；发生上述作用后，寄生npn管发射结正偏，有可能导通，对MOSFET的工作有影响。 * 低掺杂漏区（Low Doping Drain）结构， * 在正栅压下的附加氧化层电荷可能会使增强型MOSFET变成耗尽型MOSFET。// * * 书上把亚阈值电流错写为阈值电流。 * * 此电子能量高于热平衡能量（如达到1.5eV，而热平衡能量为0.026eV左右），故称为热电子。电子比空穴更容易“热”。//LDD结构可以抑制热电子的产生。 * * * * L是设计沟道长度，L’是有效沟道长度。这就导致饱和区不饱和现象。注意L越小，则 * ID’为实际漏电流，ID为理想漏电流（即按照简单模型推导出的漏电流）。 * 假定Na为均匀掺杂，故与x无关。 * ΔL的相对值是指相对于L的值。 * 表面散射包括表面电荷散射和表面不平整散射。垂直电场不仅来自栅压，而且来自氧化层中的正电荷。 * 体迁移率与VGS无关，表面迁移率与VGS有关。 * 这里给出的数据仅供参考。 * * * 提前饱和意味着无需夹断即可饱和。这是容易理解的，沟道夹断前，因E≥EC区v=vsl→ID不受VDS控制（在该区间的Qn(y)主要受VGS控制），根据电流连续性定理，沟道电流应处处相等，故会沟道处处电流达到饱和。//对于低场情况，饱和区电流与栅压的平