第二课：内存教学目标：了解内存的结构相关技术教学重点：1内存.DOC

第二课：内存 教学目标： 了解内存的结构、相关技术 教学重点： 1、内存的类型 2、内存的性能指标和规范 教学难点： 1、内存的技术发展 2、内存常见故障的处理 教学方法：讲授法、多媒体演示法 教学课时：2 教学步骤与内容： 1. 内存的类型 内存是一组，或多组具有数据输入/输出和数据存储功能的集成电路。 内存根据其存储信息的特点，主要有两种基本类型： 第一种类型是只读存储器ROM（Read Only Memory），只读存储器强调其只读性，这种内存里面存放一次性写入的程序和数据，只能读出，不能写入；第二种类型是随机存取存储器RAM（Random Access Memory），它允许程序通过指令随机地读写其中的数据。 只读存储器ROM 存储在ROM中的数据理论上是永久的，既使在关机后，保存在ROM中的数据也不会丢失。1.ROM 2.PROM（Programmable Rom）即可编程ROM。 3.EPROM（Erasable Programmable Rom）即可擦写、可编程ROM，它可以通过特殊的装置（通常是紫外线）反复擦除，并重写其中的信息。 4.EEPROM（Electrically Erasable Programmable Rom）即电可擦写、可编程ROM，可以使用电信号来对其进行擦写。 5.Flash Memory 随机存取存储器RAM DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存储器） SRAM（Static Random Access Memory，静态随机存储器） 1. SDRAM（Synchronous DRAM） SDRAM（Synchronous DRAM）的中文名字是“同步动态随机存储器”，它是PC100和PC133规范所广泛使用的内存类型，其接口为168线的DIMM类型(这种类型接口内存插板的两边都有数据接口触片)，最高速度可达5ns， 工作电压3.3 V。SDRAM与系统时钟同步，以相同的速度同步工作，即在一个CPU周期内来完成数据的访问和刷新，因此数据可在脉冲周期开始传输。SDRAM也采用了多体（Bank）存储器结构和突发模式，能传输一整块而不是一段数据，大大提高了数据传输率，最大可达133 MHz。 2. DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM） DDR就是双倍数据传输率（Double Data Rate），DDR SDRAM就是双倍数据传输率的SDRAM， DDR内存是SDRAM 的升级版本，它是更先进的SDRAM。SDRAM只在时钟周期的上升沿传输指令、地址和数据。而DDR SDRAM的数据线有特殊的电路，可以让它在时钟的上下沿都传输数据。 DDR SDRAM与普通SDRAM的另一个比较明显的不同点在于电压，普通SDRAM的额定电压为3.3V，而DDR SDRAM则为2.5V。在物理结构上，DDR SDRAM采用采用184针（pin），金手指部分只有一个缺槽，与SDRAM的模块并不兼容。DDR SDRAM在命名原则上，也与SDRAM不同。SDRAM的命名是按照时钟频率来命名的，例如PC100与PC133，而DDR SDRAM则是以数据传输量作为命名原则，例如PC1600以及PC2100，分别表示其数据传速率为1600MB/s和2100MB/s。 3.RDRAM（Rambus DRAM） 4.高速缓冲存储器（Cache） 高速缓冲存储器是位于CPU和主内存DRAM之间的规模较小、但速度很高的存储器，通常由SRAM组成。这个介于CPU和主存之间的高速小容量存储器就称之为高速缓冲存储器，简称Cache。显然，程序访问的局部化性质是Cache得以实现的基础。目前，CPU一般设有一级缓存（L1 Cache）和二级缓存（L2 Cache）。Cache的基本操作有读和写，其衡量指标为命中率，即在有Cache的系统中，CPU访问数据时，在Cache中能直接找到的概率，它是Cache的一个重要指标，与Cache的大小、替换算法、程序特性等因素有关。构造硬盘光驱等外部存储器的高速缓存（简称磁盘Cache），也将提高系统的整体运行速度。 2. 内存的性能指标和规范 内存的性能指标 1.接口类型 2.DIMM类型接口，SIMM类型接口。 3.系统时钟周期（Tck）、最大延迟时间（tAC）和CAS延迟时间（CL） CAS（Column Address Strobe，列地址控制器）。 RAS（Row Address Strobe，行地址控制器）。 由于芯片体积的原因，存储单元中的电容容量很小，所以信号要经过放大来保证其有效的识别性，这个放大/驱动工作由S-AMP负责，一个存储体对应一个S-AMP通道。但它要有一个准备时间才能保证信号的发送强度