半导体物理学综述.ppt

  1. 1、本文档共182页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
半导体物理学综述

半导体中的电子状态半导体中杂质;半导体的纯度和结构纯度极高,杂;晶体结构单胞对于任何给定的晶体;晶体结构三维立方单胞 简;金刚石晶体结构金刚石结构原子结;半 导 体 有: 元 素 半 ;半 导 体 有: 化 合 物 ;原子的能级电子壳层不同支壳层电;+14电子的能级是量子化的n=;原子的能级的分裂孤立原子的能级;原子的能级的分裂原子能级分裂为;价带:0K条件下被电子填充的能;自由电子的运动微观粒子具有波粒;半导体中电子的运动薛定谔方程及;半导体的能带本征激发 魂肛滞牲;半导体中E(K)与K的关系在导;半导体中E(K)与K的关系令 ;自由电子的能量微观粒子具有波粒;半导体中电子的平均速度在周期性;自由电子的速度微观粒子具有波粒;半导体中电子的加速度半导体中电;半导体中电子的加速度令 ;有效质量的意义自由电子只受外力;空穴只有非满带电子才可导电导带;K空间等能面在k=0处为能带极;K空间等能面以 、 ;K空间等能面对应于某一 ;半导体中的电子状态半导体中杂质;与理想情况的偏离晶格原子是振动;与理想情况的偏离的影响极微量的;与理想情况的偏离的原因理论分析;间隙式杂质、替位式杂质杂质原子;间隙式杂质、替位式杂质单位体积;施主:掺入在半导体中的杂质原子;受主:掺入在半导体中的杂质原子;半导体的掺杂Ⅲ、Ⅴ族杂质在Si;半导体中同时存在施主和受主杂质;半导体中同时存在施主和受主杂质;杂质的补偿作用半导体中同时存在;点缺陷弗仓克耳缺陷间隙原子和空;点缺陷替位原子(化合物半导体);位错位错是半导体中的一种缺陷,;位错施主情况 ;半导体中的电子状态半导体中杂质;热平衡状态在一定温度下,载流子;态密度的概念能带中能量 附;态密度的计算状态密度的计算单位;空间中的量子态在 空间中,电;态密度导带底附近状态密度(理想;态密度(导带底)(价带顶)闪浦;费米能级根据量子统计理论,服从;费米分布函数 称为费米能级;费米分布函数当 时若;玻尔兹曼分布函数当 ;玻尔兹曼分布函数空穴的玻尔兹曼;玻尔兹曼分布函数导带中电子分布;导带中的电子浓度在导带上的 ;导带中的电子浓度纤酒湃礁娟囤狂;导带中的电子浓度导带宽度的典型;价带中的空穴浓度同理得价带中的;载流子浓度乘积同理得价带中的空;本征半导体载流子浓度本征半导体;本征费米能级派哼叁语桨鬃胃逃瘫;本征载流子浓度(既适用于本征半;杂质半导体载流子浓度一个能级能;杂质半导体载流子浓度施主能级上;杂质半导体载流子浓度电离施主浓;n和p的其他变换公式本征半导体;费米能级对掺杂半导体,企诣微琴;半导体中的电子状态半导体中杂质;载流子输运半导体中载流子的输运;欧姆定律金属导体外加电压 ;欧姆定律均匀导体外加电压 ;漂移电流漂移运动当外加电压时,;漂移速度漂移速度 畅榜蚤哩译惊;半导体的电导率和迁移率半导体中;半导体的电导率和迁移率N型半导;Question导体在外加电场;热运动在无电场作用下,载流子永;热运动当有外电场作用时,载流子;散射的原因载流子在半导体内发生;电离杂质的散射杂质电离的带电离;晶格振动的散射格波形成原子振动;晶格振动的散射声学波散射在能带;与 的关系N个电子以速度;与 的关系上式的解为则 ;与 的关系在 ;、 与 的关系平均漂移速度为;、 与 的关系N型半导体P型;与 及 的关系电离杂;与 及 的关系电离杂;影响迁移率的因素与散射有关晶格;N型半导体P型半导体本征半导体;电阻率与掺杂的关系N型半导体P;电阻率与温度的关系本征半导体本;速度饱和在低电场作用下,载流子;半导体中的电子状态半导体中杂质;平衡载流子在某以热平衡状态下的;由于受外界因素如光、电的作用,;平衡载流子满足费米-狄拉克统计;过剩载流子和电中性平衡时 ;小注入条件小注入条件:注入的非;非平衡载流子寿命假定光照产生 ;复合n型材料中的空穴当 ;费米能级热平衡状态下的非简并半;准费米能级 当半导;准费米能级 注: 非;准费米能级 注: 两;产生和复合产生电子和空穴(载流;复合直接复合 ;产生直接产生 ;陷阱效应当半导体处于非平衡态时;扩散粒子从高浓度向低浓度区域运;扩散电流郝位蚜诡霄沉柠徽胖门堵;半导体内总电流扩散+漂移碘劣晕;扩散系数和迁移率的关系考虑非均;爱因斯坦关系在平衡态时,净电流;连续性方程绩星草拦览诺该七摈讽;半导体中的电子状态半导体中杂质;PN结杂质分布PN结是同一块半;PN结杂质分布下面两种分布在实;PN结的形成湘上孽殆君肮恿辫彤;PN结中的能带PN奇碎敌趣鸟拘;内建电势湿毫罪翱滔司稼竖驴圃霸;内建电势PN结的内建电势决定于;

文档评论(0)

f8r9t5c + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

版权声明书
用户编号:8000054077000003

1亿VIP精品文档

相关文档