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MOSFET串联在高输入电压反激变流器中的研究 Study of High Voltage Flyback Converter Using Series-connected MOSFET
第46卷第6期 电力电子技术 V01．46．No．6
PowerElectronlcs 2012
2012年6月 June
MOSFET串联在高输入电压反激变流器中的研究
王 莉，吴新科，钱照明
(浙江大学，电气工程学院，浙江杭州310027)
摘要：分析了一种利用两个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)串联提高开关器件组整体耐压以满足
高输入电压小功率DC／DC应用要求的电路。电路中主开关管由控制芯片直接驱动，次开关管由相应的辅助电
路进行浮地驱动．辅助电路同时还能对串联开关管进行有效的分压。结合准谐振反激DC／DC变换器对开关器
件及辅助电路的开通、关断机理进行了详细分析，并对开关管分压问题进行了重点讨论，提出降低开关管电压
应力的方案。最后用一台350—800V输入、75w输出的样机验证了理论分析的正确性，也表明此电路具有可
靠性好，成本低，适用的输入电压范围宽等优点。
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管；变流器；串联；反激
中国分类号：’IN32 文献标识码：A 文章编号：1000-100X(2012)06-0031-03
ConverterSeries-connectedMOSFET
Studyof砸ghVoltageFlyback Using
WANG
Li，WU Zhao．ming
Xin—ke，QIAN
University，Har皤zhou310027，Ch／na)
(2埘i田w
Abstract：Aseries-connectedmetal-oxide-semiconductorfield-effect is for
transistors(MOSFET)circuitp=po∞dhi#
of
DC／DCconverterwithlowrated series-connectedswitchesthe Blressa de-
voltage power．Usin8 voltage sln#e
input
vicee81ibereduced．Inthe circuitthemasterswitchis driventhecontrolICandtheslave
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switchisdriventhe circuit．Atthesame is the circuit．
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When in backDC，DC turl3-onandturn-offmecb．aIli8msofthecircuit
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