VO2薄膜制备及掺杂研究进展 The Preparation and Doping Research Progress of VO2 Thin Film.pdfVIP

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2017-08-02 发布于上海
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VO2薄膜制备及掺杂研究进展 The Preparation and Doping Research Progress of VO2 Thin Film.pdf

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VO2薄膜制备及掺杂研究进展 The Preparation and Doping Research Progress of VO2 Thin Film

VO 2薄膜制备及掺杂研究进展葛振华，赵昆渝，李智东，吴东，邹平 (昆明理工大学材料与冶金工程学院，昆明650093) 摘要：二氧化钒(VO：)是一种性能优异的功能材料，在68℃左右发生金属态一半导体态的转变，其光学和电学性能发生突变，在热电开关、光存储介质和激光防护方面有广泛的应用前景。但是由于钒氧体系十分复杂，给制备高质量的VO：带来了困难。人们做了许多工作来研究VO：的结构性能，使用不同的工艺方法制备VO：以及通过掺杂降低其相变温度。本文通过一些有代表性的VO：的研究成果，从制备工艺和元素掺杂方面做了介绍。关键词：VO：薄膜；制备工艺；掺杂中图分类号：TM205．1；0484．4文献标志码：A The and Research PreparationDoping ofVOThinFilm Progress2 GEZhen—hua，ZHAO Pin Kun·yu，LIZhi·dong，WUDong，ZOU Materialsand Science (Facultyof MetallurgicalEngineering，KunmingUniversityof and 650093，China) Technology，Kunming iSanexcellentfunctional will frommetalstatetosemi． Abstract：V02 material。it change conductor and alsohavea the about68℃，its electrical optical properties greatchange，in heat，electric mediaandlaser havea broad switches，opticalstorage protectiveaspects ofvanadium is prospect．However，becauseoxygensystemverycomplicated，toprepara- tionof vanadiumdioxidehas havedonea lotof high—quality broughtdifficulties．People workto thestructureofvanadium usea lotofdifferentmethodsto study dioxide，and vanadiumdioxide，aswellas toreduceits transitiontern- prepare throughdoping phase researchresultsofvanadiumdioxide，su