AlGaNGaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅱ) Study on 2DEG and Current Collapse of AlGaNGaN HFET.pdfVIP

俨 AIGaN／GaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅱ) 李效白 (专用集成电路国家重点实验室，石家庄050051) 中图分类号：TN386文献标识码：A 文章编号：1003．353X(2009)02．0101．06 092DEGandCurrent ofAIGaN／GaNHFET Study Collapse LiXiaobai (Na．／ona／研LaboratoryofASIC，鼬驰幽Ⅻw050051，Chm) 4 AIGaN／GaN HFEr电流崩塌的机理 电流崩塌(图8)是A1GaN／C_,aNHFET存在的特衬底缺陷等形成的深能级。s．C．Binari等人【9]提出 殊问题也是能否走向实用化的关键问题。图中，，山。