LMBE法生长Mg0.2Zn0.8O及MSM型紫外探测器的制备 MSM Ultraviolet Photodetector of Mg0.2Zn0.8O by LMBE.pdfVIP

第28卷第8期 半导体学报 Vol28 No8 2007年8月 CHlNESEJOURNALOFSEMJCONDUCTORS Aug，2007 探测器的制备“ 毕臻1‘2’3’+张景文2边旭明2王 东2 张新安2’3 侯 洵1。2‘3 (1两安交通大学理学院，西安710049) 2西安变通大学陕西省信息光子技术重点实验室，西安710049 (3河南大学物理与信息光电子学院．开封475001) 光电导紫外探测器对响应时间的测试表明，探测器的上升时间仅为143ns，下降时间为65“s 关键词：MgozZn。80薄膜；紫外探测器；响应时间 PACC：6855；7240；7840 中图分类号：TL814 文献标识码：A 文章编号：0253．4177(2007)08—1242—06 引言 近年来，对于ZnO这种新型的Ⅱ一Ⅵ族宽禁带