表面钝化硅纳米线的能带结构 Band Structures of Si Nanowires with Different Surface Terminations.pdfVIP

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2017-08-03 发布于上海
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表面钝化硅纳米线的能带结构 Band Structures of Si Nanowires with Different Surface Terminations.pdf

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第卷第期半导体学报 27 11 VOl.27 NO.11 年月 2006 11 CHINESEJOURNAL OF SEMICONDUC ORS NOv. 2006 表面钝化硅纳米线的能带结构% 尤思宇王燕T (清华大学微电子学研究所北京 100084) 摘要!采用第一性原理的方法计算了不同尺寸的( )硅纳米线在饱和及饱和下的电子结构计算结果表明 100 H F . 饱和与饱和的( )硅纳米线均为直接禁带半导体但饱和硅纳米线的禁带宽度和价带有效质量都远小于 F H 100 F 饱和硅纳米线这一现象可用价带顶的杂化效应来解释计算结果还表明或饱和的( )硅纳米线的 H 6-n . H F 100 极限硅单原子链则表现为间接带隙半导体文中对这一现象进行了分析和讨论. 关键词!硅纳米线;表面钝化;氟化;能带; 杂化 6-n : ; ; PACC 7125 7320D 7360P 中图分类号! 文献标识码! 文章编号! # O471.5 A 0253-4177 2006 11-1927-07 中弱但是禁带宽度增加和有效质量增大对提高器 l 前言件的工作速度是极为不利的本文重点考虑纳米效. 应的另一个方面表面效应以氢和氟饱和的硅一维半导体材料由于具有量子限制效应等与体纳米线为研究对象采用第一原理的计算方法考虑材料不同的性质引起了人们极大的研究兴趣如果. 不同表面元素对硅纳米线禁带宽度~带边有效质量能用硅纳米线制备出实用的纳米电子器件将大大和电子结构的影响并对计算结果进行了详细的理提高 IC 的集成度使硅技术的应用从微电子学领论分析. 域扩展到纳电子学领域对未来电子器件及整个电 ] 2 计算工具和模型 1 子领域的发展产生极大影响另外硅纳米线本身. 易与现有的硅微电子工业兼容因此硅纳米线在基.