CdSeCdZnSe多量子阱的激子复合性质的研究.pdfVIP

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2017-08-29 发布于江苏
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CdSeCdZnSe多量子阱的激子复合性质的研究.pdf

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　第 20 卷第 10 期半　导　体　学　报 . 20, . 10 V o l N o 　1999 年 10 月 . , 1999 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S O ct 多量子阱的激子 CdSe CdZnSe 复合性质的研究 1, 2 1 1 1 1 1 张希清　徐　征　侯延冰　王振家　王永生　徐叙溶 ( 1　北方交通大学　光电子技术研究所　北京　100044) 2 . . Z K T ang (2　 , ) D epartm ent of Physics T he Hong Kong U niversity of Science and T echno logy 3 3 3 3 3 汪河州　李伟良　赵福利　蔡志刚　周建英 (3　中山大学激光光谱学国家重点实验室　广州　510275) 摘要　采用制备了多量子阱结构. 射线衍射谱的最高阶次是 7, 在 77 M BE CdSe CdZnSe X K 下 PL 光谱的线宽是 4 2nm , 表明我们的样品具有较高的质量. 在变密度激发的p s 时间分辨光谱中, 随着激发密度的减小发光衰减时间减小, 认为是由无辐射复合引起的. : 7340 , 7847, 7865 PACC L 1　引言族半导体异质结和量子阱已引起广大科学工作者的极大兴趣, 主要是由于微结构生长技术的进步, 特别是成功地用M BE 等制备出 ZnSe 系单量子阱蓝绿色激光二极管, 已证实族材料是有希望应用于光电子器件的材料. 族量子阱与窄族( ) 相比较, 具有较大的激子结合能, 因此用 GaA s A lGaA s 该材料制备的激光二极管能在室温工作, 其主要机制是激子复合. 所以详细研究激子复合性质是有意义的. 而研究激子复合寿命能真实地反映辐射复合和无辐射复合之间的关系. 最近 [ 1～ 14 ] 已有一些人研究了和等量子阱、超晶格的激子寿命, 在 CdM nT e CdT e ZnCdSe ZnSe 这些研究中, 都只讨论激子的辐射复合的一些特性, 没讨论辐射复合与无辐射复合之间关系的一些特性. 本文报道