铂扩散快恢复二极管特性的研究 Study on the Properties of FRD by Spin-on Platinum Diffusion.pdfVIP

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2017-08-03 发布于上海
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铂扩散快恢复二极管特性的研究 Study on the Properties of FRD by Spin-on Platinum Diffusion.pdf

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发铂扩散快恢复二极管特性的研究 2 孙树梅1，曾祥斌1，袁德成2，蒋陆金2，肖敏1，冯亚宁 (1．华中科技大学电子科学与技术系，武汉430074； 2．上海美高森美半导体有限公司，上海210018) 摘要：描述了用直拉单晶(CZ)硅片采取铂液态源扩散的方法控制少子寿命，以达到减小快恢复二极管的反向恢复时间的目的。通过一系列的实验对铂扩散二极管的特性进行研究，分析了铂扩散二极管的反向恢复时间r。。、正向压降矿。以及漏电流，。等参数之间的关系，并分析了反向恢复时间r。。的温度特性。得到n。与■之间的理想折衷：t。为80～500ns，y，控制在o．9～1．3V。不但使r。。与矿，的折衷有了较大的改善，而且在材料上采用了成本较低的直拉单晶硅片代替成本较高的外延片。分析了铂扩散温度和时间对反向恢复时间丁。。和正向压降矿。的影响，理论上解释了各主要参数之间相互影响的原因。关键词：铂扩散；反向恢复时间；正向压降；漏电流 3+．5；TN314+．1；TN315+．2 中图分类号：TN3l 文献标识码：A l2—0930—05 onthe ofFRD PlatinumDiffusion Study PropertiesbySpin-on SUN Shu·meil，zENG minl，FENG xiang-binl，YUANDe—chen92，JIANGLu-jin2，xIAO Ya—nin92 o．fElectrontcsciencennd University9fsciencennd (1．Depnrtment Techono|gy．HH口zhong Techonolgy， 2．．^ffc，DsP，”f 2l001 ∥“^口胛430074，C^f胛口j 8，C^f甩n) SP埘fcDnd“cfD，，S^nHg^口f Abstract：’I’heresultsofan dedlcatedtOllfetlmecOntrOllnf．ast study experlmental recOVery diodeswere CZwaferand diffusionwereusedtocontrollife— preVented．The spin—onplatinum timeof carrierinordertoreducethereVerse offast diode．The minority recoVery recovery time瓦R of diff．usiondiodewerestudiedaseriesof maindiode propertiesplatinum by experiments．The ofreVerse parameters recoVery