晶硅电池.PPT

* * * * * * * * * * 热光伏 (TPV)电池 红外辐射 TPV 电能 应用：工业废热回收等。 典型器件：GaSb (Eg ～0.6~7eV), InP, Si, 系统：热源－辐射器－电池 效率：～1000K 2～3％，目前。 1200－1700K，～10％， 未来 太阳电池的未来发展趋势 商业化趋势 ◆ 1998年以前，单晶硅电池占市场主导地位。 ◆ 从1998年起，多晶硅电池开始超过单晶硅跃居第一。 ◆ 非晶硅从80年代初开始商业化，由于效率低和光衰减问题，市场份额先高后低。 ◆ CdTe电池从80年代中期开始商业化生产，市场份额增加缓慢，Cd的毒性是原因之一； ◆ CIS电池的产业化进程比较缓慢，生产工艺难于控制，In是稀有元素； ◆ Sanyo公司a-Si/c-Si电池商业化仅两三年，发展迅速。 技术发展趋势 1.硅基电池: ◆硅是地球上丰度第二大元素，资源丰富 (以石英砂形式存在)； ◆环境友好； ◆电池效率高，性能稳定； ◆工艺基础成熟。 ◆硅基电池是目前光伏界研究开发的重点、热点 晶硅电池的产业化技术 硅基薄膜电池 ? ? ? ? 结 晶 完 美 化 程 度 ? ? ? 电 池 效 率 增 加 趋 势 电池 状况/技术 实验室％ 商业化％ 单晶硅(体) 商业化生产,280-350?m 24.7 15~17 多晶硅(体) 商业化,280-350?m 19.8 13~15 带硅,AES 商业化,八面体,300,400?m ~16 12~14 带硅Evergrn 中试,单面,300-400?m 16.2 12~14 带硅 中试,EBARA,单面,300-400?m 17.3 ? 薄层硅/衬底 中试,Austropower,300-600?m ~15 10 多晶硅薄膜 (高温过程900～1200℃),RTCVD ~15 ? 多晶硅薄膜 (中温过程500～900℃),CVD ? ? 多晶 硅薄 膜 多晶 (低温过程500℃),PECVD ~10 ? 微晶 (低温过程300℃),PECVD ~10 ? 纳晶 (低温过程300℃),PECVD ~10 ? 非晶硅/纳晶 (低温过程300℃),PECVD ~10 ? 非晶 硅电 池 三结 (低温过程300℃),PECVD 15．2 6－8 两结 (低温过程300℃),PECVD 12 5－7 单结 (低温过程300℃),PECVD ~10 5－7 研究开发方向 ◆晶硅电池: ① 提高电池/组件效率 高效钝化技术：TiO2，SiNx, H、SiO2, a-Si 高效陷光技术：减反射，表面织构化，背反射 选择性发射区(前)， 背表面场(BSF)， 细栅或者单面技术， 高效封装技术－最佳封装材料的折射率等。 ② 简化、改进工艺－自动化、环保、低成本； 如硅片薄化及其工艺， ③材料的国产化和提高性能。 世界Top 10太阳电池生产厂产量 公司 2005年产量 排名 2006年预测产量 排名 夏普 428 MW 1 500 MW 1 Q-Cells 166 MW 2 234 MW 2 京瓷 142 MW 3 175 MW 3 三洋 125 MW 4 150 MW 4 三菱 100 MW 5 125 MW 6 肖特 95 MW 6 110 MW 7 BP太阳能 86 MW 7 105 MW 10 尚德 82 MW 8 150 MW 4 茂迪 60 MW 9 110 MW 7 Detsche cell 包括壳牌太阳能 96 MW 壳牌太阳能59 10 110 MW 7 晶体硅太阳电池继续保持领先地位，占据了90%以上的份额。 其中： 多晶硅太阳电池的份额为52.3%， 单晶硅为38.3%， 带硅/片硅电池2.9%。 预计今后十年内晶体硅仍将占主导地位。 阻碍光伏产业发展的三大因素 1、太阳级硅材料紧缺。 2、光伏发电成本较高。 3、还未完全实现市场化，产业和市场的发展依赖于政府制订的光伏激励政策和相关法律。 ◆ 硅基薄膜电池 低温过程(PECVD) 300℃， 非晶、微晶、 微非迭层－效率、稳定性 ，柔性衬底，廉价衬底；