掺Pt对Si(100)上形成的NiSi薄膜应力的影响 Effect of Pt Addition on the Stress of NiSi Film Formed on Si(100).pdfVIP

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2017-08-03 发布于上海
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掺Pt对Si(100)上形成的NiSi薄膜应力的影响 Effect of Pt Addition on the Stress of NiSi Film Formed on Si(100).pdf

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No．5 第28卷第5期半导体学报 V01．28 2007年5月 CHINESEJOURNALOFSEM[CONDUCTORS May，2007 EffectofPtAdditionontheStressofNiSiFilmFormedon Si(100)‘ Weil”，Ru C2，Van RL2， Huang Guopin91”，DetavernierMeirhaeghe Li Yulon91，QuXinpin91，and Jiang Bingzon91 (1 Microeleetronics，Fudan 200433，China) Departmentof University，Shanghai (2 StateSciences，Ghent ofSolid University，Krijgslaan281／S1，B-9000 Department Ghent，Belgium) Pt onthe of Abstract：Inorderto theeffectof additionstressNiSifilm，isitustressmeasurementswere clarify takentoevaluatethestressevolution and treatmentof filmswithdifferent duringheatingcooling Nil一，Pt。Sialloy Ptconcentrations．Theroom stress，whichis thermalstress，wasmeasuredtobe775MPaand temperature mainly 1．31GPafor NiSiand PtSifilms on pure Nil_，Pt，Sifilm， pure grownSi(100)substrates，respectively．Foralloy theroom wasobservedtoincrease withPtconcentration．Fromthe stress de． temperature steadily temperature stressevolutioncurves。thestressrelaxation wasfoundtoincreasefrom440℃(forNiSi pendent temperature pure film)to620℃(forPtSifilm)with Ptconcentration，thustheresidualstressatr