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SEM ICONDUCTOR OPTOELECTRONICS Vo1
. 32No.4 Ang. 2011
掺锂氧化锌纳米线的光致发光特性
潘志峰,陈长青,李云涛,唐伟跃,李立祥
(郑州大学 物理T程学院 。郑州 45o0o0)
摘 要 : 氧化锌 (ZnO)是直接宽带隙半导体材料 ,有高达 60meV的激子束缚能,是下一代
短波长光 电材料的潜在材料 。首先制备 了优 良的多孔氧化铝 (AnodicAluminum Oxide)有序孔洞
阵列;以其为模板,采用直流电化学沉积的方法,在其规则排列的孔 中沉积得到锌的纳米线;然后将
其在高温下氧化 ,得到氧化锌的纳米线。XRD 图显示Li掺杂前后 的ZnO纳米线具有较好的晶态
结构。对 Li掺杂前后的ZnO纳米线进行光学特性测量 ,结果表 明,ZnO纳米线有两个发光峰,分
别位于382nm和 508nm处;Li掺杂较大地改善 了ZnO纳米线的发光性 能,本征发光峰移到 395
nm 处,蓝绿发光强度也有 了很大程度的提 高。
关键词: 氧化锌纳米线 ;掺杂 ;发光特性
中图分类号 :TN304.2 文献标识码 :A 文章编号 :1001—5868(2011)04--0506一O3
LuminescencePropertiesofLi—dopingZnO Nanowires
PAN Zhifeng,CHEN Changqing,LIYuntao,TANG W eiyue,LILixiang
(CollegeofPhysicalEngineering,ZhengzhouUniversity,Zhengzhou450000,CHN)
Abstract: Zincoxide(ZnO)isconsidered tobethenextgeneration shorterwavelength
semiconductorbecauseofitswidebandgap and60meV exciton bindingenergy.TheAA0
(AnodicAluminum Oxide)templatewasformedby anodizingaluminum in theoxalicacidof0.3
mol/Lat40V andthroughtwo—stepanodizingoxidemethod.ThenAAOtemplatewasusedto
synthesizeZnnanowiresbythemethodofelectrochemicaldeposition.ThenZnO nanowirearrays
wereobtainedbyoxidatingtheZnnanowiresunderhightemperature.XRD imagesshow theZnO
nanowiresbefore/afterLidopingowngoodcrystallinestructureandtheTEM imagesshow that
thediameterandlengthoftheZnO nanowiresareabout50nm and20um ,respectively.The
luminescencespectrahavetwoemissionpeaksatabout382nm and508nm.ItiSdemonstrated
thatLi—dopinghasgreateffecton the luminescenceproperty ofZnO nanowires,the intrinsic
emiSSionpeakat382nm shiftsto 395nm ,and the intensityoftheemissionpeak at508am
increasesgreatly.
Keywords: ZnO nanowires;Li—doping;luminescence
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