光刻原理下.PPT

集成电路工艺原理 仇志军 zjqiu@fudan.edu.cn 邯郸校区物理楼435室 2、Reducing resolution factor k1 Minimum feature size EUV 2011 2009 2007 2005 2003 Production ~21 ~ 55 32 nm ~39 ~80 105 110 Half pitch [nm] ~16 ~30 42 60 LG [nm] 22 nm 45 nm 65 nm 90 nm Technology Node l=193 nm l=193 nm immersion 193 nm immersion with higher n? pitch LG P. Bai, et. al., IEDM2005 INFO130024.02 集成电路工艺原理 第四章 光刻原理 (下) 上节课主要内容 基于衍射理论的光刻原理 投影式（远场衍射）：分辨率、焦深、MTF、不相干度S 接触/接近式（近场衍射）:最小尺寸 光刻胶：正胶/负胶 光刻胶的组成 i线/g线（PAC） DUV（PAG） 掩模版制作 光刻机工作模式： 接触式，接近式，投影式（扫描式，步进式，步进扫描式） 大纲 第一章 前言 第二章 晶体生长 第三章 实验室净化及硅片清洗 第四章 光刻 第五章 热氧化 第六章 热扩散 第七章 离子注入 第八章 薄膜淀积 第九章 刻蚀 第十章 后端工艺与集成 第十一章 未来趋势与挑战 光刻胶的表征参数： 1、对比度：胶区分亮区和暗区的能力 mJ/cm2=mW/cm2×sec 对比度: Df 即灵敏度 注意：g线和i线胶那样是靠光子一个一个曝光的， DUV胶不是。 DUV胶一旦反应开始，则会在催化作用下，使反应进行到底。所以DUV胶从未曝光状态到完全曝光状态的转变更为陡峭，即对比度更大。 一般， g线和i线胶的对比度在2～3，而DUV胶的对比度为5～10。 ?依赖于工艺参数，如：显影液、前烘时间、曝光后及坚膜的温度，光源波长和硅片的表面形貌等 空间图像与光刻胶对比度结合，直接决定潜像的质量 CMTF?MTF，胶才能分辨空间图形 g线和i线胶CMTF?0.4，DUV胶为0.1～0.2。 作业 2、临界调制传递函数CMTF (critical modulation transfer function)：胶分辨图形所需的最小光学传递函数MTF。 局部曝光区域决定图形的陡直度 f 光刻胶的一些问题 1、由于硅片表面高低起伏，可能造成曝光不足或过曝光。 线条宽度改变！ 2、下层反射造成驻波，下层散射降低图像分辨率。 DUV胶—ARC g线和i线胶—使用添加剂，吸光并降低反射，曝光后显影前的烘烤也有利于缓解其驻波现象。 驻波对于光刻图形的影响 光刻步骤简述 前烘 对准及曝光 坚膜 曝光后烘 光刻步骤详述 硅片增粘处理 高温烘培 增粘剂处理 ：六甲基二硅胺烷（HMDS） 匀胶机 涂胶：3000～6000 rpm，0.5~1 mm 前烘：10～30 min，90～100 ?C 热板 去除光刻胶中的溶剂，改善胶与衬底的粘附性，增加抗蚀性，防止显影时浮胶和钻蚀。 硅片对准，曝光 每个视场对准 曝光强度150 mJ/cm2 曝光后烘烤（PEB）：10 min，100 ?C 显影：30～60 s 浸泡显影或喷雾显影 干法显影 Alignment mark Previous pattern 坚膜：10～30 min，100～140 ?C 去除残余溶剂、显影时胶膜所吸收的显影液和残留水分，改善光刻胶的粘附性和抗蚀能力 显影检查：缺陷、玷污、关键尺寸、对准精度等，不合格则去胶返工。 Stepper Scan System Canon FPA-4000ES1: 248 nm, 8”wafer×80/hr, field view: 25 mm×33 mm, alignment: ?70 nm, NA: 0.63, OAI 透镜成本下降、性能提升 视场大 尺寸控制更好 变形小 图形转移——刻蚀 图形转移——剥离（lift-off） 去胶 溶剂去胶 （strip）：Piranha (H2SO4:H2O2)。 正胶：丙酮 氧化去胶 450 ?C O2+胶?CO2?+H2O? 等离子去胶（Oxygen plasma ashing） 高频电场 O2?电离O－＋O＋ O＋活性基与胶反应 CO2?， CO ?，H2O?。 干法去胶（Ash) 光源 NGL: X射线(5?)，电子束(0.62?)，离子束(0.12 ?) CaF2 len