Chapter 8 离子布植.PDF

Chapter 8 離子佈植 1 目標 ‧列出至少三種常用的掺雜物 ‧指出三種掺雜區域 ‧描述離子佈植的優點 ‧描述離子佈植機的主要部份 ‧解釋通道效應 ‧說明離子射程與離子能量的關係 ‧解釋需佈植後退火的原因 ‧瞭解安全上的危害 2 離子佈植 ‧簡介 ‧基礎 ‧硬體 ‧製程 ‧安全性 3 晶圓製作流程 材料 無塵室生產廠房 介電質沉積 測試 金屬化 CMP 晶圓 離子佈值與 蝕刻與 封裝 加熱製程 光阻剝除 光阻剝除 光罩 最後測試 微影製程 設計 CMP ：化學機械研磨 4 簡介 ‧掺雜半導體 ‧方法 –擴散 –離子佈植 ‧離子佈植的其他應用 5 簡介 :掺雜半導體 ‧什麼是半導體? ‧為什麼半導體需掺雜? ‧什麼是N型掺雜物 ? ‧什麼是P型掺雜物 ? 6 掺雜半導體:擴散 ‧等向性製程 ‧無法獨立控制掺雜接面深度與掺雜物濃 度 • 1970年代中期被離子佈植技術取代 7 掺雜半導體:離子佈植 ‧可獨立控制掺雜物濃度(離子束電流與佈 植時間)及接面深度 (離子能量) ‧非等向性輪廓 ‧較重的掺雜原子如磷和砷，較容易進行 高濃度掺雜 8 閘極的對準失誤 閘極氧化層 金屬閘極 金屬閘極 p+ S/D n-Si p+ S/D n-Si 對準的 失誤的對準 9 離子佈植：自我對準源極/汲極 SiO2 多晶矽