a杂质扩散掩蔽膜和离子注入屏蔽膜b器件表面保护或钝化膜c MOS .PPT

第二章 氧 化 主 讲：毛 维 mwxidian@126.com 西安电子科技大学微电子学院 第二章 氧化 SiO2作用： a.杂质扩散掩蔽膜和离子注入屏蔽膜 b.器件表面保护或钝化膜 c. MOS电容的介质材料 d. MOSFET的绝缘栅材料 e. 电路隔离介质或绝缘介质 SiO2制备：热氧化；热分解淀积；CVD；阳极氧 化；蒸发法(溅射法)。 热氧化：SiO2质量好，掩蔽能力强。 氧化层应用 氧化层应用 氧化层应用 氧化层应用 2.1 SiO2的结构与性质 2.1 SiO2的结构与性质 2.1.1. 结构（结晶形和无定形） ①结晶形结构：Si – O 四面体在空间排列整齐 如石英晶体（水晶），密度＝ 2.65g/cm3 ②无定形（非晶形）结构： 如SiO2薄膜，密度＝2.15-2.25g/cm3 无定形结构特点：（由无规则排列的Si-O四面体组成的三维网络结构),即短程有序，长程无序； Si-O四面体:在顶角处通过氧(O)相互联结,构成三 维网络结构。 2.1 SiO2的结构与性质 Si-O4四面体中氧原子： 桥键氧——为两个Si原子共用，是多数； 非桥键氧——只与一个Si原子联结，是少数； 无定形SiO2网络强度：与桥键氧数目成正比，与非桥键氧数目成反比。 形成Si空位相对（形成O空位）困难：Si与4个O形成4个共价键，O最多形成2个共价键；Si在SiO2中扩散系数比O小几个数量级。 O、H2O穿过SiO2扩散到达Si表面反应。 2.1 SiO2的结构与性质 2.1.2 主要性质 ①密度：表征致密度,与制备方法有关，无定形为2.2g/cm3。 ②折射率:表征光学性质的参数，与制备方法有关， 一般密度越大则折射率越高。5500?下约为1.46。 ③电阻率：与制备方法及杂质数量有关，如干氧在 1016Ω·cm以上，是较好的绝缘体。 ④介电强度：表征耐压能力，一般在106 -107 V/cm。 2.1 SiO2的结构与性质 ⑦腐蚀：化学性质非常稳定，室温下只与HF强烈反应。 SiO2 + 4HF → SiF4 + 4H2O SiF4进一步反应： SiF4 +2HF→H2（SiF6） （六氟硅酸，可溶于水） 总反应式： SiO2 +6HF → H2（SiF6）+ 4H2O 腐蚀速率：与HF的浓度、温度、 SiO2的质量（干 氧、湿氧）等有关。 2.2 SiO2的掩蔽作用 2.2.1 杂质在SiO2中的存在形式 按照是否含有杂质， SiO2可分为：本征二氧化硅（无杂质） 和非本征二氧化硅（有杂质）两类。而后者中的杂质又可以分 为两类：网络形成剂（者）和网络调节剂（改变者） 1.网络形成者：即替位式杂质，取代Si，如B、P、Sb等。其特 点是离子半径与Si接近。 Ⅲ族杂质元素：价电子为3，只与3个O形成共价键，剩余1 个O 变成非桥键氧，导致网络强度降低。 Ⅴ族杂质元素：价电子为5，与4个O形成共价键，多余1个 价电子与附近的非桥键氧形成桥键氧，网络强度增加。 2.2 SiO2的掩蔽作用 2.网络改变者：即间隙式杂质，如Na、K、Pb、Ca、 Ba、Al等。 其特点是离子半径较大，多以氧化物形式掺 入；结果使非桥键氧增加，网络强度减少。 例如： Na2O + Si-O-Si → Si-O- +-O-Si + Na+ H2O + Si-O-Si → Si-OH + HO-Si 2.2 SiO2的掩蔽作用 2.2.2 杂质在SiO2中的扩散系数（服从扩散规律） 选择扩散：杂质在SiO2的扩散速度远小于在Si中的扩 散速度。 扩散系数:DSiO2=D0exp(-ΔE/kT) D0-表观扩散系数（ΔE/kT →0时的扩散系数） ΔE-杂质在SiO2中的扩散激活能 B、P、As的DSiO2比DSi小，Ga、Al的DSiO2比DSi大得多，Na的DSiO2 和DSi都大。 2.2 SiO2的掩蔽作用 2.2.3 SiO2掩蔽层厚度的确定 1.掺杂杂质的选择：DSi ? DOX 杂质在Si中的扩散深