PECVD法非晶硅与非晶氧化硅薄膜钝化硅片研究 - 南昌大学-光伏研究院.PDF

PECVD法非晶硅与非晶氧化硅薄膜钝 化硅片研究 南昌大学太阳能光伏学院/ 材料学院 龚洪勇，黄海宾，高江，崔冶青，宁武涛，周浪 2013. 11.09 CSPV9 江苏.常熟 报 告 - 硅基异质结电池中的钝化层 提 - 低速率沉积的本证非晶硅优良钝化效果 纲 - 氢化非晶氧化硅的优良钝化效果和更宽的 工艺范围 - 研究结论 硅基异质结电池的结构 i-layer 在晶体硅与掺杂非晶硅间插入本征非晶硅薄层 (HIT,Sanyo) Sanyo研究组的本征氢化非晶硅钝化研究数据 Tohoda, S., et al. ,Journal of Non-Crystalline Solids, 2012. 358(17): p. 2219-2222 左图，bulk=1216 us , S=4cm/s (根据1/τ =1/τ + 2S/W , eff τ 1216 us) eff bulk bulk = 右图, S=100cm/s 时 Voc=741mV 几乎不变,S 10cm/s good (100.4cm2,  23%, Voc 0.729V, Isc 39.5mA/cm2, 80.0% （2009 ）) Sanyo研究组的本征氢化非晶硅钝化研究数据 Tohoda, S., et al. ,Journal of Non-Crystalline Solids, 2012. 358(17): p. 2219-2222 2011-Sanyo 98um,  23.7% 2013-Panasonic 98um,  24.7% (100.4cm2,  23%, Voc 0.729V, Isc 39.5mA/cm2, 80.0% （2009 ）) Sanyo data-bulk=1216 us, S10cm/s 低速率沉积的非晶硅薄膜对硅片的优良钝化效果 试验方法 •PECVD设备：创世威纳HW-PECVD-1E •样品材料：N型Cz-Si （40*40mm,厚度约190um, 电阻率约1-5ohm.cm,(100)面，体少子寿命1ms ） 减薄后约140-150um •样品处理：预清洗后，通SiH4+H2，PECVD双 面沉积本征非晶硅 •样品测试： -样品少子寿命测试 -样品薄膜结构分析 低速率沉积的本征非晶硅薄膜 200 1.0 D e p o 0.8 s i t m 150 i n