基本场效电晶体放大器.DOC

第四章 基本場效電晶體放大器 ? 4.1 MOSFET放大器 ? 基本電晶體放大器架構 ? 共源極放大器 ? 源極隨耦放大器 ? 共閘極架構 ? 三種基本放大器架構的比較 ? 單級積體電路MOSFET放大器 ? 多級放大器 ? 基本JEFT放大器 ? 線性放大器 ? 雖MOSFET以數位應用為主，但可運用於線性放大器 ? 三種單級(單電晶體)FET放大器組態 ? 共源極、源極隨耦器、共閘極 ? MOSFET IC放大器一般使用MOSFET負載元件(增強型或空乏型)取代電阻 ? IC中放大器常是串聯或串疊形成多級組態 ? 增加整體電壓增益或提供特定電壓增益與輸出電阻之組合 ? 簡短討論JFET ? 小訊號：可線性化ac等效電路 因而可使用重疊定理，所以可分開dc與ac分析 ? 本節使用圖解技巧：dc負載線、ac負載線 ? 發展線性電路的各種小訊號參數及相關的等效電路 ? 四種等效電路中最常用的是轉導放大器 輸入電壓，輸出為電流 ? 源極及其特性曲線、負載線 ? 載線及Q點與vGS、VDD、RD及電晶體參數有關 ? 使輸出電壓為輸入之線性函數，電晶體需偏壓在飽和區 ? vi往正(負)增加(vGS增加(減小)，Q點沿負載線上(下)移(較大(小)iD及較小(大)vDS ? vi往正(負)增加(vGS增加(減小)，Q點沿負載線上(下)移(較大(小)iD及較小(大)vDS ? 一旦Q點建立則可發展vgs、id及vds的小訊號數學模型 ? 為使FET當成線性放大器，電晶體需偏壓在飽和區，即瞬間iD及vDS需在飽和區輸入弦波使vGS、iD及vDS改變 圖4.1 NMOS共源極電路 圖4.2 共源極電晶體特性曲線 ? 電晶體參數 ★ ( ? 第一項為直流(靜態)D極電流IDQ ? 第二項為時變D極電流與訊號vgs線性相關 ? 第三項與訊號平方正比為不需要之諧波(非線性)失真 為使這些諧波最小，需 ，則第三項遠小於第二項，此為滿足線性放大器之小訊號條件 ? 小訊號則可忽略 項，因而具有線性，可分開dc及ac ? ? 小訊號D極(輸出)電流與G-S(輸入)電壓關係為轉導 gm，可視為電晶體之增益 ? 飽和區D極電流對G-S電壓的關係如圖 ? 轉導即為斜率，當vgs夠小，gm為固定值 圖4.3 之特性曲線 ? Q在飽和區，電晶體為vgs線性控制之電流源 ? Q點移至非飽和區時則不再是線性控制之電流源 ? 轉導直接正比於導電參數Kn，所以為W/L之函數， 即增加電晶體寬度則增加轉導或增益 例4.1：假設n通道MOSFET 之參數為VTN = 1V，(1/2)μnCox = 20μA/V2及W/L = 40。設汲極電流ID = 1mA。 解：首先，考慮單位導電參數為 假設電晶體偏壓在飽和區,轉導由(4.8(b）)式 得 轉導(即增益)比BJT來的小，但MOSFET有較高輸入阻抗、尺寸小及低功率消耗之優點 交流等效電路 ? 輸出電壓 ? 時變訊號之關係整理 () () () 圖4.4 NMOS電晶體共源極放大器 之交流等效電路 ? ac等效電路 ? 使dc電源為零(電壓短路；電流斷路) ? 小訊號等效電路 訊號頻率夠低使閘極電容可忽略，則閘極為開路，再利用轉導可得小訊號等效電路 ( ) ( ) ( ) 圖4.5 (a) 共源極NMOS電晶體之小訊號參數 (b) NMOS電晶體之小訊號等效電路 ? 若偏壓在飽和區，考慮有限的輸出電阻 ? 則iD對vDS之斜率非零，關係為 ? (稱為通道常數調變參數是正值 小訊號輸出阻抗ro亦為Q點參數之函數 ( 通道之延伸小訊號等效電路 ? 等效電路為轉導放大器 ? 輸入為電壓、輸出為電流 ? 將放大器等效電路放入電路中 圖 4.6 擴展後的小訊號等效電路，包括