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第 卷第 期 光 子 学 报
35 2
Vol.35No.2
年 月
2006 2 Februar 2006
ACTA PHOTONICA SINICA y
基于P-N 结的太阳能电池伏安特性的分析与模拟*
任 驹 郭文阁 郑建邦
(西北工业大学理学院光信息技术实验室,西安 )
710072
摘 要 通过分析实际P-N 结与理想模型之间的差别,建立了P-N 结二极管及太阳能电池的数学
模型;利用 中的系统仿真模块库建立仿真模型,设置参量,求解模型方程并绘制了图形 对
Matlab .
太阳能电池在一定光照下旁路电阻及串联电阻取不同数值时对其开路电压、短路电流及填充因子
的影响做了模拟,并与实际测得的硅太阳能电池伏安特性进行了比较 模型分析与实验测量的结
.
果表明:等效的旁路电阻和串联电阻分别影响电池的开路电压和短路电流 仿真结果与实验测量
.
结果一致 .
关键词 P-N 结;伏安特性;等效电路模型;太阳能电池
中图分类号 O475 文献标识码 A
V
q ()
J=J ex -1 1
0 引言 s p
[ kT ]
( )
式中, 为 结两端的电压, 为通过 结的
结是许多微电子和光电子器件的核心部分 V P-N J P-N
P-N .
电流密度, 为反向饱和电流 当正向偏压较大
J .
这些半导体器件的电学特性及光电特性由P-N 结 s
时,括号中的指数项远大于 ,因而第二项可以忽
的性质
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