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三极管基础知识和参数对照表
[知识学堂] 三极管的基础知识及参数对照表
双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管PN结。正向偏置的EB结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的CB结势垒电场的效果下到达集电区，形成集电极电流IC。在共发射极晶体管电路中,发射结在基极电路中正向偏置,其电压降很小。绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于VBE很小，所以基极电流约为IB=5V/50kΩ=0.1mA。
如果晶体管的共发射极电流放大系数β=IC/IB=100,集电极电流IC=β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/ib=β，实现了双极晶体管的电流放大效果。
常用中小功率三极管参数表：
型号
材料与极性
Pcm(W)
Icm(mA)
BVcbo(V)
ft(MHz)
3DG6C
SI-NPN
0.1
20
45
100
3DG7C
SI-NPN
0.5
100
60
100
3DG12C
SI-NPN
0.7
300
40
300
3DG111
SI-NPN
0.4
100
20
100
3DG112
SI-NPN
0.4
100
60
100
3DG130C
SI-NPN
0.8
300
60
150
3DG201C
SI-NPN
0.15
25
45
150
C9011
SI-NPN
0.4
30
50
150
C9012
SI-PNP
0.625
-500
-40
C9013
SI-NPN
0.625
500
40
C9014
SI-NPN
0.45
100
50
150
C9015
SI-PNP
0.45
-100
-50
100
C9016
SI-NPN
0.4
25
30
620
C9018
SI-NPN
0.4
50
30
1.1G
C8050
SI-NPN
1
1.5A
40
190
C8580
SI-PNP
1
-1.5A
-40
200
2N5551
SI-NPN
0.625
600
180
2N5401
SI-PNP
0.625
-600
160
100
2N4124
SI-NPN
0.625
200
30
300
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