ArF浸没式光刻在55nm逻辑器件制造中的优势 Benefit of ArF Immersion Lithography in 55 nm Logic Device Manufacturing.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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ArF浸没式光刻在55nm逻辑器件制造中的优势 Benefit of ArF Immersion Lithography in 55 nm Logic Device Manufacturing.pdf

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ArF浸没式光刻在55nm逻辑器件制造中的优势 Benefit of ArF Immersion Lithography in 55 nm Logic Device Manufacturing

ArF浸没式光刻在55nm逻辑器件制造中的优势 Tamura Yoshimochi TaI(a”kiUchiy锄a．1，Takao1，KazIlyuki 1， Paul Bakker v孤Senen 2，HaTls M谢saki Graupncr 3，Eelco 3，Kenji 4， E1ectronics (1，NEC corporation，1120 2．Carl Zeiss，Semiconductor ManufactunngTechn0109yAG，73447Oberkochen，Gennany； 3．ASML，DeR咖650l，DRVeldhoven，TheNetherlands； 4AsML 5—1 Japan，2-1Kon姐，Minato-h，Tokyo108-6022，Japan) 摘要：通过比较干法和浸没光刻技术在超越焦深(DOF)提高方面的一些主要特点．举例说明了采用浸没式光刻技术的许多优势。浸没式光刻技术同干法光刻技术比较起来改善了关键尺寸一致性(cDU)又避开了必需而强硬的分辨率提高技术(RET)。因此利用浸没式光刻技术能够有效地减少光学邻近校正(oPC)的麻烦。就成像技术而言，我们研究了光刻技术对畸变的敏感性和浸没式光刻技术光源光谱带宽对强光相对曝光量对数E95波动性能的优势。去年已经见证了被认为对浸没光刻技术在批量生产中主要难题的套刻精度、缺陷控制和焦平面精度方面有效的改进。如今55 nrn逻辑器件的生产制造技术要求的挑战已经得到了满足。浸没先刻技术的成就包括抗蚀剂圆片内10啪套刻精度和圆片间20 nm的套刻精度．每一圆片上低于10个缺陷以压在整个圆片上40nm以内的焦平面误差。我们形成了一个顶涂层抗蚀荆工艺。总之。浸没光刻技术是55衄节点逻辑器件最有希望的制造生产技术，它可提供与干法ArF光刻技术在CDu控制、套刻性能和焦平面精度方面等效的解决方案，缺陷程度没有增加。NEC电子公司夸年采用浸没先刻技术完成了55 nm逻辑器件“UX7LS”的开发和试生产并形成这种UX7LS的批量生产光刻技术．关键词：浸没式光刻；55纳米逻辑器件；成像；套刻；关键尺寸一致性中图分类号：TN305 文献标识码：A BenefitofArFImmersion in Lithography 55nm DeVice Logic Manufacturing 做ayuhuchiyama”，Tal(aoT枷啪1，KaZIlyIlbYoshimochn Paul BakkerEelcovanse仕en Graupner2，HaⅡs I 3，K七njiMo—sal【i弋 Ele曲Dnics (1．NEc corpomd∞，1120 收稿日期：2007．1l_05 ⑧(总第154期) 万方数据 ·专题报道· Techn0109yAG，73447 Run650l 2．C刚zeiss，Semjcondu咖r