CMOS射频集成电路ESD保护的挑战 Emerging Challenges in ESD Protection for RF ICs in CMOS.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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CMOS射频集成电路ESD保护的挑战 Emerging Challenges in ESD Protection for RF ICs in CMOS

第29卷第4期半导体学报 V01．29No．4 2008年4月 JOURNALOFSEMICONDUCTORS Apr．。2008 inESDProtectionforRFICsinCMOS。 EmergingChallenges Albertl”，Lin Xinl，LiuHainan2，andZhouYumei2 Wang Linl，Wang (1Department 92521，USA) ofElectricalEngineering，Universityof＆ztprnia，Riverside，CA Institute (2 ofMicroelectronics，Chinese 100029，China) AcademyofSciences，BeOing electrostatic hasbecomean for Abstract：On-chipdischarge(ESD)protection design emergingchallenge asIC intothe andRF (RF)integratedcircuits(IC)designtechnologiesmigrate ICsmoveintomulti·GHz fromthe interactionbetweentheESD operations．The keyproblemoriginates complex protec- tion andthecoreRFICcircuitunder discussestherecent inRFESD circuitry protection．Thispaper developmentprotec- tionresearchand methods，andnovelRFESD solutions． design，outliningemergingchallenges，newdesign protection Keywords：electrostatic discharge；ESDprotection；RFESD；parasitic EEACC：2570 CLC Document Article number：TN43 code：A ID：0253．4177(2008)04．0628．09 structurewherecritical are for parametersgiventrig． 1 Introduction thermalbreakdown．