IRG4PC40UD - International Rectifier（IRG4PC40UD国际整流器）.pdfVIP

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IRG4PC40UD - International Rectifier（IRG4PC40UD国际整流器）

PD 9.1467D IRG4PC40UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH UltraFast CoPack IGBT ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE FeaturesFeatures C Features FeaturesFeatures • UltraFast: Optimized for high operating VCES = 600V frequencies 8-40 kHz in hard switching, 200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter G VCE(on) typ. = 1.72V parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 @V = 15V, I = 20A GE C E • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, n-ch an nel ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations • Industry standard TO-247AC package Benefits • Generation -4 IGBTs offer highest efficiencies available • IGBTs optimized for specific application conditions • HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs . Minimized recovery characteristics require less/no snubbing • Designed to be a drop-in replacement for equivalent TO-247AC industry-standard Generation 3 IR IGBTs Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units VCES Collector-to-Emitter Voltage