- 1、本文档共121页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
第六章MOSFET
* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 当输入电压为低电压时(即Vin=0,VGSn=0<VTn),n沟道MOSFET关闭,然而由于|VGSp|≈VDD|VTp|,(VGSp与VTp为负值),所以p沟道MOSFET为导通态.因此,输出端通过p沟道MOSFET充电至VDD。 当输入电压逐渐升高,使栅极电压等于VDD时,因为VGSn=VDDVTn,所以n沟道MOSFET将被导通,而由于|VGSp|≈0|VTp|,所以p沟道MOSFET将被关闭.因此输出端将经n沟道MOSFET放电至零电势. * 输入低电压 n沟道MOSFET关闭 p沟道MOSFET导通 输出高电压 输入低电压 n沟道MOSFET导通 p沟道MOSFET关闭 输出低电压 * 如图所示为CMOS反相器的输出特性,其中显示Ip以及In为输出电压(Vout)的函数.Ip为p沟道MOSFET由源极(连接至VDD)流向漏极(输出端)的电流;In为n沟道MOSFET由漏极(输出端)流向源极(连接至接地端)的电流. 需注意的是在固定Vout下,增加输入电压(Vin)将会增加In而减少Ip。然而在稳态时,In应与Ip相同.对于给定一个Vin,可由In(Vin)与Ip(Vin)的截距,计算出相对应的Vout. * 如图所示的Vin-Vout曲线称为CMOS反相器的传输曲线。 CMOS反相器的一个重要的特性是,当输出处于逻辑稳态(即Vout=0或VDD)时,仅有一个晶体管导通,因此由电源供应处流到地端的电流非常小,且相当于器件关闭时的漏电流.事实上,只有在两个器件暂时导通时的极短暂态时间内才会有大电流流过。因此与其他种类如n沟道MOSFET、双极型等逻辑电路相比,其稳态时的功率损耗甚低. * 闩锁(latch-up) 为了在CMOS应用中能同时将p沟道与n沟道MOSFET制作在同一片芯片上,需要额外的掺杂及扩散步骤,以便在衬底中形成“阱”或“盆(tub)”.阱中的掺杂种类与周围衬底不同.阱的典型种类有P阱、n阱以及双阱.图6.31为使用p阱技术制作的CMOS反相器的剖面图.在此图中,p沟道与n沟道M()SFET分别制作于n型硅衬底以及P阱之中. * CMOS电路的阱结构最主要的问题在于闩锁现象.闩锁是由阱结构中寄生的p-n-p-n二极管作用所造成的.如图6.31所示,寄生的p-n-p-n二极管是由一横向的p-n-p及一纵向的n-p-n双极型晶体管所组成的. 当发生闩锁时,一大电流将由电源供应处(VDD)流向接地端,导致一般正常电路工作中断,甚至会由于高电流散热的问题而损坏芯片本身。 * 为避免发生闩锁效应,必须减少寄生双极型晶体管的电流增益. 一种方法是使用金掺杂或中子辐射,以降低少数载流子的寿命,但此方法不易控制且也会导致漏电流的增加. 深阱结构或高能量注入以形成倒退阱(retrograde well),可以提升基极杂质浓度,因而降低纵向双极型晶体管的电流增益. 在倒退阱结构中,阱掺杂浓度的峰值位于远离表面的衬底中. * 一种减少闩锁效应的方法,是将器件制作于高掺杂衬底上的低掺杂外延层中,如图6.33所示.高掺杂衬底提供一个收集电流的高传导路径,这些电流随后会由表面接点流出. * CMOS有低功率消耗及高器件密度的优点,使其适用于复杂电路的制作.然而与双极型技术相比,CMOS的低电流驱动能力限制了其在电路上的表现.BiCMOS是将CMOS及双极型器件整合在同一芯片上的技术.BiCMOS电路包含了大部分的CMOS器件以及少部分的双极型器件,它综合了双极器件高跨导、强负载驱动能力和CMOS器件高集成度、低功耗的优点,使其互相取长补短,发挥各自优势,给高速、高集成度、高性能的LSI及VLSI的发展开辟了一条新的道路.然而,这需增加额外的制作复杂度、较长的制作时间及较高的费用. 双极型CMOS(BiCMOS) * 在某些应用中,MOSFET被制作在绝缘衬底上而非半导体衬底上.然而这些晶体管的特性与MOSFET非常相似.如果沟道层为非晶或多晶硅时,通常我们称这些器件为薄膜晶体管(thin film transistor,TFT);如果沟道层为单晶硅时,我们称之为绝缘层上硅(silicon-on-insulator,SOI). 1 薄膜晶体管 (TFT) 氢化
您可能关注的文档
- 六章 磁路与铁心线圈电路.ppt
- 六章 第三讲 针对训练 测与评.doc
- 六章 质量检测(六) 化学反应与能量.doc
- 六章 IIR数字滤波器设计.ppt
- 六章 Access的窗体设计.ppt
- 六章 s域系统函数分析.pdf
- .PAO基础油性能.doc
- .PCB.doc
- CB专业术语.doc
- LC高级理论考试 含答案.doc
- 中国国家标准 GB/T 5211.9-2025颜料和体质颜料通用试验方法 第9部分:相同类型着色颜料耐光性的比较.pdf
- 《GB/T 5211.9-2025颜料和体质颜料通用试验方法 第9部分:相同类型着色颜料耐光性的比较》.pdf
- 《GB/T 37228-2025安全与韧性 应急管理 突发事件管理指南》.pdf
- GB/T 23724.3-2025起重机 检查 第3部分:塔式起重机.pdf
- 中国国家标准 GB/T 25163-2025防止儿童开启包装 可重新盖紧包装的要求与试验方法.pdf
- 《GB/T 25163-2025防止儿童开启包装 可重新盖紧包装的要求与试验方法》.pdf
- GB/T 16263.5-2025信息技术 ASN.1编码规则 第5部分:W3C XML模式定义到ASN.1的映射.pdf
- 中国国家标准 GB/T 16263.5-2025信息技术 ASN.1编码规则 第5部分:W3C XML模式定义到ASN.1的映射.pdf
- 《GB/T 16263.5-2025信息技术 ASN.1编码规则 第5部分:W3C XML模式定义到ASN.1的映射》.pdf
- GB/T 11349.2-2025机械振动与冲击 机械导纳的试验确定 第2部分:用激振器作单点平动激励测量.pdf
最近下载
- “红旗杯”竞赛总题库-4班组长计划管理能力考试题库(附答案).docx VIP
- 物业管理实务练习题物业的承接查验(三).pdf VIP
- 食品配送行业货物运输质量保障措施.docx VIP
- 2025入党积极分子发展对象培训考试试卷题库(含答案).docx VIP
- 地下室金刚砂地坪施工方案.docx VIP
- 2025年公安局警务辅助人员招聘考试笔试试题(附答案).docx VIP
- “红旗杯”竞赛总题库-2班组长成本绩效管理能力考试题库(附答案).docx VIP
- 轨道交通收益权质押价值评估研究--以xx市地铁x号线为例.pdf VIP
- 5. 国威人工智能产业学院建设方案V1.5.pdf VIP
- 中国AIGC应用全景图谱报告.pptx VIP
文档评论(0)