模电课件 1.3 双极型晶体管.pptVIP

模电课件 * * 1.了解三极管的基本结构，熟悉其放大原理； 2.掌握三极管电流分配关系，熟悉其输入、输出特性。 §1.3 晶体三极管 学习目标： 1.三极管的电流分配关系和放大原理； 2.三极管的输出特性曲线和基本参数。 学习重点： 一、晶体管的结构及类型 晶体三极管又称双极型晶体管、半导体三极管、三极管等。 发射区 集电区 基区 三极管的结构特点: （1）发射区的掺杂浓度＞＞集电区掺杂浓度。 （2）基区要制造得很薄且浓度很低。 半导体三极管由两个PN 结构成。类型:NPN 型和PNP 型。 c 集电极 e 发射极 b 基极 N N P NPN型晶体管结构 集电结(Jc) 发射结(Je) 集电极 P P N PNP型晶体管结构 e c b N N P NPN型晶体管结构 e c b NPN型晶体管符号 PNP型晶体管符号 二、电流分配与放大原理 1、内部载流子的运动规律 以NPN管共射放大电路为例 I C I B R B E B E C R C V V μ A mA + U CE － + U BE － 三极管基本放大电路 EcEB 放大状态：发射结正偏，集电结反偏。 （1）发射区向基区扩散自由电子 EB RB RC EC 发射结正偏，多数载流子（自由电子）的扩散运动加强； 发射区自由电子不断扩散到基区形成电流IEN； IEP IE IEN 基区空穴扩散到发射区形成电流IEP； 发射极电流： IE＝IEP+IEN ； 发射结(Je) EB RB RC EC IEP IE IEN （2）自由电子在基区扩散和复合 发射结自由电子浓度很高，继续向集电结方向扩散； IBN 扩散到基区的自由电子，一部分被电源EB拉走，形成电流IBN； 集电结 EB RB RC EC IEP IE IEN IBN （3）集电区收集从发射区扩散过来的自由电子 发射区扩散到基区并到集电结边缘的自由电子继续运动到集电区，形成电流 ICN ； 集电结反偏，内电场被加强，漂移运动加强，少数载流子的运动形成电流 ICBO ，是构成 IB 与 IC 的一小部分。 ICN IC ICBO IB EB RB RC EC IEP IE IEN IBN ICN IC ICBO IB 2、电流分配关系 ～ + － ui EB + － uI RB RC EC 3、晶体管的共射电流放大系数 静态（直流）：当ui为零时， uI=EB； 动态（交流）： （1）令ui＝0，即静态 定义共射直流电流放大系数： ICEO：穿透电流。 ～ + － ui EB + － uI RB RC EC IC IB ～ + － ui EB + － uI RB RC EC （2）令ui≠0，即动态 定义共射交流电流放大系数： ?iC ?iB ～ + － ui EB + － uI RB RC EC ～ + － ui Ee + － uI Re RC EC iB iC iE 4、共基电流放大系数 定义共基直流电流放大系数： 定义共基交流电流放大系数： 三、晶体管的共射特性曲线 1、输入特性曲线 测量电路 I C I B R B E B E C R C V V μ A mA + U CE － + U BE － （2）UCE增大，曲线右移； UCE越大，从发射区扩散到基区的自由电子被VB拉走的数量越少，故要获得同样的iB，就需加大uBE； （3）当UCE≥1V时，输入特性曲线重合； （1） UCE ＝0 时，相当于两个PN结并联。曲线与PN结伏安特性相似； 2、输出特性曲线 uCE/V iC/mA IB=0 IB=20μA IB=40μA IB=60μA 截止区 放 饱和区 工作状态： 放大、截止和饱和状态三种工作状态 （1）放大区（线性区）：iC与uCE无关，几乎仅仅受iB控制，IC=? IB，?ic= ? ? iB ， 发射结正偏，集电结反偏。 iC=f(uCE) ? IB=常数 大 区 uCE/V iC/mA IB=0 IB=20μA IB=40μA IB=60μA 截止区 放大区 饱和区 （2）截止区：IB＝0曲线以下，可靠截止uBE ≤0V；发射结反偏，集电结反偏。 模拟电路：放大区 数字电路：截止和饱和区 （3）饱和区：uBE=0.7V(si)，且UCE ＜ UBE ，发射结正偏，集电结正偏。iB的变化对iC影响很小，不成正比， IC? IB 。 四、晶体管的主要参