AT45DB014D中文说明.pdf

AT45DB014D 中文说明 （VER:200911） 说明：AT45DB014D 是 4Mbits、2.5V/2.7V 的数据 FLASH，我在网上找了许久，没能找到中文文档， 就有了翻译一篇说明文档的想法，本文档的依据是 ATMEL 公司发布的 《3595O–DFLASH–04/09》 版 ，本人英语水平不佳，难免有错误纰漏之处，欢迎大家指正，有什么问题请发到我的邮箱。 谢谢您的支持和帮助 ！也感谢公司能给我时间来完成这些工作。 功能说明： ·单供电——2.5V 或者 2.7V 到 3.6V ·快速串行接口：最大 66MHZ 时钟频率 【兼容 SPI 模式 0——3 】 ·用户可配置的页大小 【每页 256Bytes 】 【每页 264Bytes 】 【页大小可以出厂预设为 256Bytes 】（如果采购量大，人家厂家能预设的意思吧！） ·页编程操作 【编程操作灵活、主存有 2048 页】 ·灵活的擦除选项 【可页擦除—256Bytes ；块擦除—2KBytes ；扇区擦除—64KBytes ；整片擦除—4MbitS 】 ·两个 SRAM 数据缓存 （256/264 Bytes ） 【可以在重新编程 FLASH 序列过程中接收数据】 ·有连续读整个序列的能力 【能够减少应用中的代码量】 ·低功耗 【读状态下典型电流消耗 7mA 】 【备用状态下典型电流消耗 25uA 】 【深度掉电模式典型电流消耗 15uA】 ·软硬件数据保护功能 【可做个人扇区】 ·128-byte 安全寄存器 【64-byte 用户可编程空间】 【唯一的 64-byte 设备标识】 ·每页至少有 100 000 次编程/擦除寿命 ·数据能够保持 20 年以上 ·工业级温度范围 ·绿色封装 翻译：王兵洋 2017-7-10 1 1、大致描述 AT45DB041D 是2.5V/2.7V 串行FLASH 存储器，能够存储声音、图片、编程代码等大容量数据。它支持高速串行接 ，适用于要求高速数据操作的应用。它的SPI 接口速率提高到了66 MHz，4,325,376 bits 的数据由2048 页（每页256/264 bytes ）数据组成。缓冲区允许在主存正在被重写的过程中接收 （连续）数据，自带的读—修改—写控制单元能让修改 EEPROM 的冲突很方便的受到控制。有别于传统的 FLASH 存储器使用众多的功能线、地址线来存取数据， AT45DB041D 采用了快速串行接口来实现数据存取，明显的减少了管脚数目和方便了硬件制板，增加了系统可靠性， 减少了开关噪声，并且缩小了封装尺寸。能够在高密度、低管脚数、低压和低功耗的商业和工业应用中得到最优化的 发挥。 AT45DB041D 不需要很高的编程电压，只需要2.7/2.5V——3.6V 单供电即可完成在编程操作。AT45DB041D 由CS 引 脚来使能，芯片的数据操作由三线 （SI、SO、SCK）组成的接 即可完成。 另外它的所有编程和擦除周期都是自同步的。 2、管脚特征和分配 CS——芯片选择：当 CS 禁止的时候，芯片工作在标准模式 （非深度掉电模式），并且 SO 引脚将保持 高阻态，SI 引脚也不会接收数据。CS 脚由高到低的电平转换是开始对芯片进行操作，反之，由低 到高是结束操作，如果是在像编程、擦除周期这样的自同步操作没有完成的时候禁用芯片，芯片在 没有完成这些工作的时候是不会进入标准状态的。 SCK——串行时钟 SO——串行数据输出 SI——串行数据输入 WP——写保护：当写保护引脚有效时，所有受保护的扇区都将不能被更改和擦除，即使是发出打开扇区保护的指令 也不行，WP 引脚的功能是独立于软件控制之外的，只要它被拉成低电压，受保护的扇区将不能被更改。 如果在WP 引脚有效的时候发出编程和擦除命令，将不会有任何反应，设备会在CS 引脚有效的时候进入空