MoSi2能隙的高压调制-高压物理学报.PDF

第 8卷 第 3期 高 压 物 理 学 报 Vd。8,No.3 9月 CHINEsE JOURNAL OF HIGH PRWtJRE PHYsICs sept,,1994 I9gd年 艹 Mosi2能的高压调制 隙 ¨ + 张海 峰 李永平 黄新 堂 (中国 技 学物理系,合肥 230026) 科 大 · (中 国 技 学 构分析开放研究实验室,合肥 2800zG) 科 大 结 (+华 学 理系,武汉 430070) 中 范大 物 师 LMTo AsA方 ⒕瑕2在 进 了研 ,计 ,对过 金 压 电 构性质 行 究 摘要 采用 法 渡 属 高 下的 子结 -轨 对论 应 。 表明:随着压缩度增加,⒕众2小 的能 虑 道 外的 有相 效 结果 算 中考 了除 自旋 耦合 所 J电 ⒏ ,原 互 ,晶 压 更加紧密结 隙变宽,Mo的 子与 的P电子杂化增强 子间相 作用增大 体在肓 下 一 ,与 压 金 化 性 反 。 。这 随压 而增 的 果 非导体在高 下 属 的特 相 合 能隙 力增大 大 结 法 电 高压 关链词 LMTo-AsA方 子结构 l引 言 Rsi2是 ,极 ⒏ 上 成 ,在 以硅为基质材料的 由于过渡金属硅化物 金属性 的 易在 衬底 形 ,丬 路 用 基 垒和低阻抗 内接 口等巳 ,然 而早在六十年代 ,人们就发 大规模集成 电 中 作 肖特 势 Wsi2材 Cr⒏ M涠 crsi2、 。近 2的 ,它在某些特 现该族 中 2、 料具有半导体特性 年来对 研究表明 。 M晶2,尚 见此